Step 3 : Gate oxide formation stage

Step 3 : Gate oxide formation stage. A thin gate oxide is grown across the wafer. Gate oxide of only tens of silicon oxide atoms thick is created during the fabrication process with the current technology. Gate oxide is the insulator between the transistor’s gate and its channel. Gate oxide refers to the “O” in “MOS” which stands for Metal-OxideSemiconductor

Kết quả (Việt) 1:

Bước 3: Cửa các giai đoạn hình thành ôxít. Ôxít mỏng gate được trồng khắp wafer. Gate ôxít của chỉ có hàng chục nguyên tử oxit silic dày được tạo ra trong quá trình chế tạo với công nghệ hiện tại. Gate oxide là chất cách điện giữa transistor gate và kênh của mình. Gate ôxít đề cập đến "O" trong "MOS" là viết tắt của kim loại OxideSemiconductor

Kết quả (Việt) 2:

Bước 3: Cổng thành oxit sân khấu. Một cổng oxide mỏng được trồng trên wafer. Cổng oxit chỉ có hàng chục nguyên tử oxit silic dày được tạo ra trong quá trình chế tạo với công nghệ hiện tại. Cổng oxit là chất cách điện giữa các cửa khẩu của bóng bán dẫn và các kênh của nó. Cổng oxit đề cập đến chữ "O" trong "MOS" viết tắt của kim loại-OxideSemiconductor