Fig. 3.3 Typical current and voltag

Fig. 3.3 Typical current and voltage transients during turn-on and turn- off of a clamped-inductive load and transitions in the V-I plane.


An RCD Switching-aid-network connected across the device reduces turn-off dissipation, Fig.
3.2. The controlled rise of the collector voltage of the transistor aids this process. However, turn- off energy is accumulated in the SAN, which is ultimately dissipated in the resistor. The RCD does not also help reduce turn-on dissipation when the reverse recovery current of the diode and the SAN current add up with the load current with Vs again appearing across the device.

Example 3.1

Derive the expression for the power dissipation during turn-on and turn-off of a transistor unassisted by a SAN. The supply voltage is Vm, peak load current Im, and tr, toff being the turn on and turn-off times. Assume idealised waveforms.

Solution

The transition of the swichings in the VC - IC plane is rectangular. The energy dissipated in each turn-off switching cycle is

Kết quả (Việt) 2:

Vả. 3.3 điển hình quá độ hiện tại và điện áp trong turn-on và turn- tắt của một tải kẹp-quy nạp và chuyển tiếp trong các máy bay VI. Một RCD-Switching trợ mạng kết nối qua thiết bị làm giảm tản turn-off, hình. 3.2. Sự gia tăng kiểm soát của điện áp collector của transistor trợ quá trình này. Tuy nhiên, turn- ra năng lượng được tích lũy trong SAN, mà là cuối cùng ăn chơi trong điện trở. RCD không còn giúp giảm turn-on tản khi ngược lại hồi phục hiện tại của diode và SAN hiện thêm lên với tải trọng hiện tại với Vs lại xuất hiện trên các thiết bị. Ví dụ 3.1 Rút ra biểu thức tản quyền lực trong turn-on và turn-off của một transistor không cần trợ giúp của một SAN. Việc cung cấp điện áp là Vm, tải trọng cao điểm hiện tại Im, và tr, toff là bật và turn-off lần. Giả dạng sóng lý tưởng hóa. Giải pháp Việc chuyển đổi của swichings trong VC - máy bay IC là hình chữ nhật. Năng lượng tiêu hao trong mỗi chu kỳ chuyển đổi turn-off là