figure 1 illustrates what happens w

figure 1 illustrates what happens when a voltage is applied across a silicon pn junction diode. The first quadrant of the graph shows the characteristics of the diode when the source is connected with the positive to the p-side. in the other words, the diode is forward biased. with forward bias, the current at first increased slowly. When the applied voltage reaches about 600 mV, the current rises rapidly. The diode is then a good conductor. The current will continue to rise with increased voltage but eventually a point will be reached where the diode is destroyed by heat.

Kết quả (Việt) 1:

hình 1 Mô tả những gì sẽ xảy ra khi một điện áp được áp dụng trên một silic pn giao lộ diode. Góc phần tư đầu tiên của đồ thị cho thấy các đặc tính của các diode khi nguồn được kết nối với tích cực để phía p. nói cách khác, các diode thành kiến về phía trước. với chuyển tiếp thiên vị, hiện tại Ban đầu đã tăng từ từ. Khi điện áp ứng dụng đạt đến khoảng 600 mV, hiện tại tăng lên nhanh chóng. Các diode sau đó là một dẫn tốt. Hiện tại sẽ tiếp tục tăng với điện áp tăng nhưng cuối cùng một điểm sẽ được đạt đến nơi các diode bị phá hủy bởi nhiệt.

Kết quả (Việt) 2:

Hình 1 minh họa những gì sẽ xảy ra khi một điện áp được áp dụng trên một ngã ba pn diode silicon. Các góc phần tư đầu tiên của đồ thị cho thấy các đặc tính của diode khi nguồn được kết nối với các tích cực cho p-side. trong Nói cách khác, các diode được tiếp kiến. với mong thiên vị, hiện tại ở đầu tăng chậm. Khi điện áp đạt khoảng 600 mV, hiện nay tăng lên nhanh chóng. Các diode là sau đó một dây dẫn tốt. Hiện tại sẽ tiếp tục tăng với tăng điện áp, nhưng cuối cùng một điểm sẽ được nơi đó diode bị phá hủy bởi nhiệt.