These results indicate thatthe film

These results indicate that
the films sulfurized at low temperatures contained S defects
or impurity levels and that the films sulfurized at high
temperature had none of them, except the 600 C film. less than
Although the CZTS absorbs light energy below
800 nm, the 500 C film transmitted light over a range of 300 to 500 nm. In addition, the absorption in the near-UV range was minimized as the sulfurization temperature
increased. These results suggest that the films sulfurized
at 500 C had an amorphous secondary phase or unreacted
thicker elements, because the XRD pattern of the film
showed a CZTS structure without other polycrystals. In
Fig. 5(b), the reflectance spectra of the films had a slope
at 1:5 eV, the same as in the transmission spectra. The
variation in the reflectance spectra at 1:5 eV was caused
by the absorption of CZTS and showed that the band gaps
located at 1:5 eV.
Figure 6 shows an ð
hÞ2–h plot for the CZTS films. The
optical band gap was determined by extrapolating the linear
region of a trace and taking the intersection with the h axis.
The direct band gaps of the films sulfurized at 500, 550, 580,
and 600 C were 1.43, 1.49, 1.55, and 1.50 eV, respectively.
FEELING STUCK

Kết quả (Việt) 1:

Những kết quả này chỉ ra rằngphim sulfurized ở nhiệt độ thấp có S lỗihoặc mức độ tạp chất và những bộ phim sulfurized caonhiệt độ có không ai trong số họ, ngoại trừ bộ phim 600 C. ít hơnMặc dù CZTS hấp thụ năng lượng ánh sáng dưới đây800 nm, 500 C phim truyền ánh sáng qua một loạt các 300-500 nm. Ngoài ra, sự hấp thụ trong phạm vi gần UV được giảm thiểu tối đa như là nhiệt độ sulfurizationtăng lên. Những kết quả này cho thấy rằng những bộ phim sulfurized500 C có một giai đoạn thứ hai vô định hình hoặc unreactedyếu tố dày hơn, bởi vì các mô hình XRD của bộ phimcho thấy một cấu trúc CZTS mà không polycrystals khác. ỞHình 5(b), các quang phổ phản xạ trong những bộ phim có độ dốclúc 1:5 eV, giống như trong các quang phổ truyền. CácCác biến thể trong các quang phổ phản xạ lúc 1:5 eV đã gây rabởi sự hấp thu của CZTS và đã chỉ ra rằng các khoảng trống của ban nhạcTọa lạc tại 1:5 eV.Hình 6 cho thấy một ð h Þ2-h cốt truyện cho phim CZTS. Cáckhoảng cách quang học ban nhạc đã được xác định bởi extrapolating các tuyến tínhkhu vực của một dấu vết và tham gia các giao lộ với trục h.Khoảng trống nhạc trực tiếp của bộ phim sulfurized 500, 550, 580,và 600 C 1.43, 1,49, 1,55 và 1,50 eV, tương ứng. CẢM THẤY BỊ MẮC KẸT

Kết quả (Việt) 2:

Những kết quả này chỉ ra rằng
những bộ phim sulfurized ở nhiệt độ thấp chứa S khuyết tật
hoặc mức độ tạp chất và những bộ phim sulfurized ở cao
nhiệt độ có ai trong số họ, ngoại trừ 600? C phim. ít hơn
Mặc dù CZTS hấp thụ năng lượng ánh sáng dưới đây
? 800 nm, 500? phim C ánh sáng truyền qua một phạm vi từ 300 đến 500 nm. Ngoài ra, sự hấp thu trong khoảng gần-UV đã được giảm thiểu khi nhiệt độ sulfurization
tăng. Những kết quả này gợi ý rằng những bộ phim sulfurized
ở 500 ° C đã có một giai đoạn thứ vô định hình hoặc không phản ứng
yếu tố dày hơn, bởi vì mô hình nhiễu xạ tia X của bộ phim
cho thấy một cấu trúc mà không CZTS polycrystals khác. Trong
hình. 5 (b), quang phổ phản xạ của các bộ phim có độ dốc
1: 5 eV, giống như trong phổ truyền. Các
biến thể trong quang phổ phản xạ ở mức 1: 5 eV được gây ra
bởi sự hấp thu của CZTS và cho thấy những khoảng trống băng
nằm ở 1:?. 5 eV
Hình 6 cho thấy một h ð TH2-h??? cốt truyện cho bộ phim CZTS. Các
khe hở năng quang học đã được xác định bằng cách ngoại suy tuyến tính
khu vực của một dấu vết và lấy giao với h? trục.
Những khoảng trống ban nhạc trực tiếp của bộ phim sulfurized tại 500, 550, 580,
và 600 ° C là 1,43, 1,49, 1,55 và 1,50 eV, tương ứng.
FEELING mắc kẹt