The electrical properties of Fe-SiO

The electrical properties of Fe-SiO2 have been studied in the low-field regime (eDV kBT), varying
the injected current and the bias potential. Superparamagnetism and a resistance drop of
4400 X (for a voltage variation of 15 V) were observed at room temperature. This resistance drop
increased at lower temperatures. The electrical properties were described with the “Mott variable
range hopping” model explaining the behavior of the electrical resistance and the electronic localization
length as due to the activation of new electronic paths between more distant grains. This
non-ohmic resistance at room temperature can be important for properties dependent of electrical
current (magnetoresistance, Hall effect, and magnetoimpedance). VC 2014 AIP Publishing LLC.

Kết quả (Việt) 1:

Các tính chất điện của Fe-SiO2 đã được nghiên cứu ở chế độ low-field (eDV kBT), khác nhauhiện tại tiêm và thiên vị tiềm năng. Superparamagnetism và một sức đề kháng giảm của4400 X (cho một sự thay đổi điện áp của 15 V) đã được quan sát thấy ở nhiệt độ phòng. Này thả sức đề khángtăng nhiệt độ thấp hơn. Tính chất điện đã được miêu tả với "Mott biếnphạm vi hopping"mô hình giải thích hành vi của kháng điện và điện tử địa phương hoáchiều dài là do sự kích hoạt của mới điện tử đường dẫn giữa các xa hơn các loại ngũ cốc. Điều nàysức đề kháng ohmic không ở nhiệt độ phòng có thể là quan trọng đối với tài sản phụ thuộc vào điệnhiện tại (làm, hiệu ứng Hall và magnetoimpedance). VC 2014 AIP Publishing LLC.

Kết quả (Việt) 2:

Các tính chất điện của Fe-SiO2 đã được nghiên cứu ở chế độ trường thấp (EDV kBT), thay đổi
dòng tiêm và tiềm năng thiên vị. Siêu thuận từ và giảm sức đề kháng của
4400 X (cho một biến điện áp 15 V) đã được quan sát ở nhiệt độ phòng. Thả kháng này
tăng lên ở nhiệt độ thấp hơn. Các tính chất điện được mô tả với "Mott biến
mô hình phạm vi nhảy" giải thích hành vi của các điện trở và nội địa hóa điện tử
chiều dài là do sự kích hoạt các đường dẫn điện tử mới giữa các hạt cách xa hơn. Đây
kháng ohmic không ở nhiệt độ phòng có thể quan trọng đối với tính phụ thuộc của điện
hiện tại (từ trở, hiệu ứng Hall, và magnetoimpedance). VC 2014 AIP Publishing LLC.

Kết quả (Việt) 3:

Mục tiêu của các vật trong hệ thống điện năng đã thấp. Cuộc nghiên cứu (EDV KBT), thay đổi.Tiêm vào hiện tại và tiềm năng thiên vị.Siêu thuận từ và điện trở giảm.Á X (15 V thay đổi điện áp), quan sát ở nhiệt độ phòng tiếp theo.Phong trào này xuốngỞ dưới nhiệt độ tăng lên.Với "Mott mô tả diễn biến điện"Nhảy thay đổi điện trở và định vị điện tử" mô hình giải thích hành độngChiều dài hơn, bởi vì ở xa xôi ngũ cốc giữa đường điện tử mới kích hoạt.Đây.Ở nhiệt độ phòng dưới phi Ohm kháng chiến quan trọng, có thể là thuộc tính phụ thuộc vào các thiết bị điện tử.Hiện tại (từ điện trở, hiệu ứng Hall, và từ trở kháng).VC 2014 AIP Publishing Company.