In the isolation scheme described p

In the isolation scheme described previously for the bipolar transistor. the device is isolated from other devices by the oxide layer around its periphery and is Isolated from its common substrate by a n junction (buried layer). In high-voltage applications, a different

Kết quả (Việt) 1:

Trong sự cô lập sơ đồ mô tả trước đó với bóng bán dẫn lưỡng cực. thiết bị bị cô lập từ các thiết bị khác bởi các lớp ôxít xung quanh chu vi của nó và là bị cô lập từ bề mặt của nó phổ biến bởi một đường giao nhau n (chôn lớp). Trong các ứng dụng cao áp, một khác nhau

Kết quả (Việt) 2:

Trong chương trình cô lập được mô tả trước đây đối với các bóng bán dẫn lưỡng cực. thiết bị được phân lập từ các thiết bị khác bởi lớp oxit xung quanh ngoại vi của nó và được cách ly từ bề mặt chung của mình bằng một ngã ba (lớp chôn). Trong các ứng dụng điện áp cao, một khác nhau