In principle, a transmission gate made up of two field effect transist dịch - In principle, a transmission gate made up of two field effect transist Việt làm thế nào để nói

In principle, a transmission gate m

In principle, a transmission gate made up of two field effect transistors, in which - in contrast to traditional discrete field effect transistors - the substrate terminal (Bulk) is not connected internally to the source terminal. The two transistors, an n-channel MOSFET and a p-channel MOSFET are connected in parallel with this, however, only the drain and source terminals of the two transistors are connected together. Their gate terminals are connected to each other via a NOT gate (inverter), to form the control terminal.
Two variants of the "bow tie" symbol commonly used to represent a transmission gate in circuit diagrams.

As with discrete transistors, the substrate terminal is connected to the source connection, so there is a transistor to the parallel diode (body diode), whereby the transistor passes backwards. However, since a transmission gate must block flow in either direction, the substrate terminals are connected to the respective supply voltage potential in order to ensure that the substrate diode is always operated in the reverse direction. The substrate terminal of the p-channel MOSFET is thus connected to the positive supply voltage potential and the substrate terminal of the n-channel MOSFET connected to the negative supply voltage potential.
0/5000
Từ: -
Sang: -
Kết quả (Việt) 1: [Sao chép]
Sao chép!
Về nguyên tắc, một cổng truyền gồm hai lĩnh vực có hiệu lực bóng bán dẫn, trong đó - ngược lại với truyền thống rời rạc field effect transitor - bề mặt thiết bị đầu cuối (Bulk) không được kết nối trong nội bộ vào nguồn thiết bị đầu cuối. Hai bóng bán dẫn, một MOSFET kênh n và MOSFET kênh p được kết nối song song với điều này, Tuy nhiên, chỉ các cống và nguồn thiết bị đầu cuối của hai transistor được kết nối với nhau. Của nhà ga gate được kết nối với nhau thông qua một cửa khẩu KHÔNG (inverter), hình thức kiểm soát thiết bị đầu cuối.Hai biến thể của biểu tượng "nơ" thường được sử dụng để đại diện cho một cổng truyền trong sơ đồ mạch điện.Như với transistor rời rạc, bề mặt thiết bị đầu cuối được kết nối với các kết nối nguồn, do đó, một bóng bán dẫn để các diode song song (cơ thể diode), theo đó bóng bán dẫn đi ngược trở lại. Tuy nhiên, kể từ khi một cổng truyền phải chặn dòng chảy trong hai hướng, bề mặt thiết bị đầu cuối được kết nối với điện áp tương ứng cung cấp tiềm năng để đảm bảo rằng các diode bề mặt luôn được hoạt động theo hướng ngược lại. Bề mặt thiết bị đầu cuối của MOSFET kênh p do đó được kết nối với điện áp cung cấp tích cực tiềm năng và bề mặt thiết bị đầu cuối của MOSFET kênh n kết nối với tiềm năng điện áp cung cấp tiêu cực.
đang được dịch, vui lòng đợi..
Kết quả (Việt) 2:[Sao chép]
Sao chép!
Về nguyên tắc, một cổng truyền tạo thành hai Transistor hiệu ứng trường, trong đó - trái ngược với các transistor hiệu ứng trường rời rạc truyền thống - những thiết bị đầu cuối chất nền (Bulk) không được kết nối trong nội bộ để các thiết bị đầu cuối nguồn. Hai bóng bán dẫn, một MOSFET kênh n và một MOSFET p-kênh được kết nối song song với điều này, tuy nhiên, chỉ có các thiết bị đầu cuối cống và nguồn gốc của hai bóng bán dẫn được kết nối với nhau. Thiết bị đầu cuối cửa của họ được kết nối với nhau thông qua một KHÔNG cửa khẩu (inverter), để hình thành các thiết bị đầu cuối kiểm soát.
Hai biến thể của biểu tượng "nơ" thường được sử dụng để đại diện cho một cổng truyền trong sơ đồ mạch.

Như với transistor rời rạc, các thiết bị đầu cuối chất nền được kết nối với các kết nối nguồn, do đó có một bóng bán dẫn để các diode song song (cơ thể diode), theo đó các bóng bán dẫn đi về phía sau. Tuy nhiên, kể từ khi một cổng truyền phải chặn dòng chảy trong hai hướng, các thiết bị đầu cuối chất nền được kết nối với các tiềm năng cung cấp điện áp tương ứng để đảm bảo rằng các diode chất nền là luôn luôn hoạt động theo hướng ngược lại. Các thiết bị đầu cuối chất nền của MOSFET p-kênh là do kết nối với nguồn điện áp tích cực tiềm năng và các thiết bị đầu cuối chất nền của MOSFET kênh n kết nối với tiềm năng cung cấp điện áp tiêu cực.
đang được dịch, vui lòng đợi..
 
Các ngôn ngữ khác
Hỗ trợ công cụ dịch thuật: Albania, Amharic, Anh, Armenia, Azerbaijan, Ba Lan, Ba Tư, Bantu, Basque, Belarus, Bengal, Bosnia, Bulgaria, Bồ Đào Nha, Catalan, Cebuano, Chichewa, Corsi, Creole (Haiti), Croatia, Do Thái, Estonia, Filipino, Frisia, Gael Scotland, Galicia, George, Gujarat, Hausa, Hawaii, Hindi, Hmong, Hungary, Hy Lạp, Hà Lan, Hà Lan (Nam Phi), Hàn, Iceland, Igbo, Ireland, Java, Kannada, Kazakh, Khmer, Kinyarwanda, Klingon, Kurd, Kyrgyz, Latinh, Latvia, Litva, Luxembourg, Lào, Macedonia, Malagasy, Malayalam, Malta, Maori, Marathi, Myanmar, Mã Lai, Mông Cổ, Na Uy, Nepal, Nga, Nhật, Odia (Oriya), Pashto, Pháp, Phát hiện ngôn ngữ, Phần Lan, Punjab, Quốc tế ngữ, Rumani, Samoa, Serbia, Sesotho, Shona, Sindhi, Sinhala, Slovak, Slovenia, Somali, Sunda, Swahili, Séc, Tajik, Tamil, Tatar, Telugu, Thái, Thổ Nhĩ Kỳ, Thụy Điển, Tiếng Indonesia, Tiếng Ý, Trung, Trung (Phồn thể), Turkmen, Tây Ban Nha, Ukraina, Urdu, Uyghur, Uzbek, Việt, Xứ Wales, Yiddish, Yoruba, Zulu, Đan Mạch, Đức, Ả Rập, dịch ngôn ngữ.

Copyright ©2024 I Love Translation. All reserved.

E-mail: