It is worth noting that the Fermi l

It is worth noting that the Fermi level EF lies at the bottom of the subbands E1 and E2 for the sub-threshold regime and shifts up in energy as the gate bias Vgs increases to achieve the saturation region. As shown from Eqs. (16) and (17), the electron density of 2DEG is controlled by the bias voltage applied to the gate. The source-to-drain current is the sum of drift and diffusion currents and is expressed as:

Kết quả (Việt) 1:

Nó là đáng chú ý rằng mức Fermi EF nằm ở dưới cùng của subbands E1 và E2 cho chế độ tiểu ngưỡng và thay đổi trong năng lượng như là cửa khẩu thiên vị Vgs tăng để đạt được vùng bão hòa. Như được hiển thị từ Eqs. (16) và (17), mật độ electron của 2DEG được điều khiển bởi thiên vị điện áp được áp dụng cho cửa. Nguồn thoát nước hiện nay là tổng của dòng trôi và phổ biến và được thể hiện như:

Kết quả (Việt) 2:

Điều đáng chú ý là mức EF Fermi nằm ở dưới cùng của các băng con E1 và E2 định chế độ phụ ngưỡng và thay đổi trong năng lượng như là thiên vị cửa VGS tăng để đạt được các vùng bão hòa. Như được thể hiện từ EQS. (16) và (17), mật độ electron của 2DEG được điều khiển bởi điện áp phân cực áp dụng cho cổng. Các nguồn tới cống hiện là tổng của trôi dạt và khuếch tán dòng chảy và được thể hiện như: