Fig. 1. The conduction-band edge ca

Fig. 1. The conduction-band edge calculated for an AlInN/AlN/GaN HEMT. In the energy band diagram, are reported the subband energies, the envelope wave functions, and the Fermi level. The 2DEG is formed at the lower of AlN/GaN interface, as schematically indicated in the inset.

Fig. 2. The 2D sheet charge density in an AlInN/AlN/GaN HEMT as calculated versus In composition. The inset shows the electron density profile in the GaN conductive channel.

Kết quả (Việt) 1:

Hình 1. Ban nhạc dẫn cạnh được tính cho một HEMT AlN-AlInN-GaN. Trong sơ đồ ban nhạc năng lượng, báo cáo các nguồn năng lượng subband, các hàm sóng phong bì và mức Fermi. 2DEG được thành lập tại hạ giao diện AlN/GaN, như schematically chỉ ra trong ghép.Hình 2. Mật độ phí 2D bảng trong một HEMT AlN-AlInN-GaN theo tính toán so với trong thành phần. Ghép Hiển thị hồ sơ mật độ electron trong GaN dẫn kênh.

Kết quả (Việt) 2:

Sung. 1. Các dẫn-ban nhạc cạnh tính cho một AlInN / AlN / GaN HEMT. Trong sơ đồ ban nhạc năng lượng, được báo cáo các nguồn năng lượng băng con, các chức năng sóng phong bì, và mức Fermi. Các 2DEG được hình thành ở dưới của giao diện / GaN AlN, như sơ đồ chỉ ra trong hình chữ nhật.

Hình. 2. Mật độ điện tích tấm 2D trong một AlInN / AlN / GaN HEMT theo tính toán so Trong thành phần. Hình nhỏ cho thấy các hồ sơ mật độ electron trong các kênh dẫn GaN.