This parameter is quite useful, sin

This parameter is quite useful, since it specifies the photocurrent generated per unit optical power. Typical pin photodiode responsivities as a function of wavelength are shown in Fig.6-4. Representative values are 0.65 A/W for silicon at 900nm and 0.45 A/W for germanium at 1.3 um. For, InGaAs , typical values are 0.9 A/W at 1.3um and 1.0 A/W at 1.55um.

Kết quả (Việt) 1:

Tham số này là khá hữu ích, vì nó chỉ định photocurrent tạo ra một đơn vị quang điện. Điển hình pin photodiode responsivities như là một chức năng của bước sóng được hiển thị trong Fig.6-4. Các giá trị đại diện là 0,65 A/W cho silic 900nm và 0,45 A/W cho gecmani tại 1.3 um. Đối với, InGaAs, giá trị điển hình là 0,9 A/W tại 1.3um và 1,0 A/W tại 1.55um.

Kết quả (Việt) 2:

Tham số này là khá hữu ích, vì nó xác định các dòng quang được tạo ra trên một đơn vị công suất quang. Responsivities pin photodiode điển hình như là một hàm của bước sóng được thể hiện trong Fig.6-4. Giá trị đại diện là 0,65 A / W cho silic ở 900Nm và 0,45 A / W cho germanium 1,3 um. Đối với, InGaAs, giá trị điển hình là 0,9 A / W ở 1.3um và 1.0 A / W ở 1.55um.