The mechanism of our memory device,

The mechanism of our memory device, including the sudden jump of the current in the I–V scan, is likely due to
charge transfer from the RNA to the Pt NPs under the high
electric field, subsequently changing the conductivity of the
material system23. Once the charge is being transferred, it will be
trapped in the nanoparticles and stabilized by the coat proteins.
As this is an electrical field effect, when sufficient numbers of sites
are established, a sudden jump of current accompanying the
charge tunnelling through the nanoparticles is observed. The
activation energy of charge trapping and the temperaturedependent
charge retention are strong evidence for the trapping
behaviour of nanoparticles. After a couple of charges are
de-trapped from the nanoparticles, and return to the RNA, the
conductivity of the material system drops to the OFF state.

Kết quả (Việt) 2:

Cơ chế của bộ nhớ điện thoại của chúng tôi, bao gồm các bước nhảy đột ngột của dòng điện trong I-V quét, có thể do
tính chuyển từ RNA với NP Pt dưới cao
điện trường, sau đó thay đổi tính dẫn điện của
system23 liệu. Một khi phí đã được chuyển, nó sẽ
bị mắc kẹt trong các hạt nano và ổn định bởi các protein lông.
Vì đây là một hiệu ứng điện trường, khi đủ số lượng các trang web
được thành lập, một bước nhảy đột ngột của dòng điện đi theo
đường hầm phí thông qua các hạt nano là quan sát. Các
năng lượng hoạt phí bẫy và temperaturedependent
giữ phí là bằng chứng mạnh mẽ cho các bẫy
hành vi của các hạt nano. Sau một vài phí được
de-bị mắc kẹt từ các hạt nano, và trở về RNA, sự
dẫn điện của hệ thống vật chất rơi vào trạng thái OFF.