Thyristors have the highest current

Thyristors have the highest current and blocking voltage. This means that fewer semiconductors need to be used for an application. Thyristors are used as switches for capacities or inductances, in converters for reactive power compensators or as protection switches for less robust power converters.
The Thyristors are still the devices for applications with the highest voltage and power levels. They are part of the mostly used FACTS-devices up to the biggest HVDC-Transmissions with a voltage level above 500 kV and power above 3000 MVA.
To increase the controllability, GTO-Thyristors have been developed, which can be switched off with a voltage peak at the gate. These devices are nowadays replaced by Insulated Gate Commutated Thyristors (IGCT), which combine the advantage of the Thyristor, the low on stage losses, with low switching losses. These semiconductors are used in smaller FACTS-devices and drive applications.
The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is getting more and more impor- tance in the FACTS area. An IGBT can be switched on with a positive voltage and switched off with a zero voltage. This allows a very simple gate drive unit to con- trol the IGBT. The voltage and power level of the applications is on the way to grow up to 300 kV and 1000 MVA for HVDC with Voltage Source Converters. The IGBT capability covers nowadays the whole range of power system applica- tions.
An important issue for power semiconductors is the packaging to ensure a reli- able connection to the gate drive unit. This electronic circuit ensures beside the control of the semiconductor as well its supervision and protection. A develop- ment in the Thyristor area tries to trigger the Thyristor with a light signal through an optical fiber. This allows the decoupling of the Semiconductor and the gate


drive unit. The advantage is that the electronic circuit can be taken out of the high electromagnetic field close to the Thyristor. The disadvantage is, that the protec- tion of the Thyristor has to be implemented in the Thyristor itself, which leads to an extremely complex component. A supervision of the Thyristor by the gate drive unit is as well impossible in this case, which leads to disadvantages for the entire converter.
A second issue for the packing is the stacking of the semiconductor devices. A number of devices need to be stacked to achieve the required voltage level for the power system application. A mechanically stable packaging needs to ensure an equal current distribution in the semiconductor. Figure 1.4 shows three examples of stacked IGCTs, Thyristors and IGBTs.

Kết quả (Việt) 1:

Linh kiện thyristor có điện áp cao nhất hiện nay và chặn. Điều này có nghĩa là chất bán dẫn ít hơn cần phải được sử dụng cho ứng dụng. Linh kiện thyristor được sử dụng như là thiết bị chuyển mạch cho năng lực hoặc inductances, trong máy biến áp cho phản ứng điện compensators hoặc là thiết bị chuyển mạch bảo vệ cho ít mạnh mẽ sức mạnh chuyển đổi.Các linh kiện thyristor vẫn là những thiết bị cho các ứng dụng với các mức điện áp và quyền lực cao nhất. Họ là một phần của các sự kiện chủ yếu được sử dụng, thiết bị đến các HVDC lớn nhất, truyền đi với một mức điện áp trên 500 kV và năng lượng trên 3000 MVA.Để tăng sự điều khiển, linh kiện thyristor GTO đã được phát triển, mà có thể được tắt với một đỉnh cao điện áp tại cửa khẩu. Các thiết bị này ngày nay được thay thế bởi cách điện cửa Commutated linh kiện thyristor (IGCT), mà kết hợp lợi ích của Thyristor, thấp trên sân khấu tổn thất, thiệt hại nào chuyển đổi thấp. Các chất bán dẫn được sử dụng trong sự kiện nhỏ, thiết bị và ứng dụng ổ đĩa.Các cách nhiệt Gate lưỡng cực Transistor (IGBT) là nhận được nhiều hơn và nhiều hơn nữa impor-tance trong khu vực của sự kiện. Một IGBT có thể được bật lên với một điện áp tích cực và tắt với một điện áp bằng không. Điều này cho phép một cổng rất đơn giản ổ đĩa đơn vị để côn-trol IGBT. Mức điện áp và quyền lực của các ứng dụng là trên con đường phát triển lên đến 300 kV 1000 MVA cho HVDC với bộ chuyển đổi nguồn điện áp. Khả năng IGBT hiện nay bao gồm phạm vi toàn bộ sức mạnh hệ thống applica-tions.Một vấn đề quan trọng đối với bán dẫn điện là bao bì để đảm bảo một reli - có thể kết nối đến các cổng ổ đĩa đơn vị. Mạch điện tử này đảm bảo bên cạnh sự kiểm soát của chất bán dẫn cũng như giám sát và bảo vệ của nó. Một ment phát triển trong khu vực Thyristor sẽ cố gắng để kích hoạt các Thyristor với một tín hiệu ánh sáng thông qua một sợi quang. Điều này cho phép tách chất bán dẫn và các cửa khẩu ổ đĩa đơn vị. Lợi thế là mạch điện tử có thể được đưa ra khỏi trường điện từ cao gần của Thyristor. Điểm bất lợi là, protec-tion của Thyristor đã được thực hiện trong Thyristor chính nó, dẫn đến một thành phần vô cùng phức tạp. Một giám sát của Thyristor bởi cổng ổ đĩa đơn vị là cũng không thể trong trường hợp này, dẫn đến bất lợi cho chuyển đổi toàn bộ.Một vấn đề thứ hai để đóng gói là xếp chồng các thiết bị bán dẫn. Một số thiết bị cần phải được xếp chồng lên nhau để đạt được mức độ yêu cầu điện áp cho các ứng dụng hệ thống điện. Bao bì máy móc ổn định cần đảm bảo một phân phối hiện tại tương đương trong chất bán dẫn. Hình 1.4 cho thấy ba ví dụ xếp chồng lên nhau IGCTs, linh kiện thyristor và IGBTs.

Kết quả (Việt) 2:

Thyristor có điện áp cao nhất hiện tại và ngăn chặn. Điều này có nghĩa là chất bán dẫn ít cần phải được sử dụng cho một ứng dụng. Thyristors được sử dụng như thiết bị chuyển mạch công suất hoặc cuộn cảm, trong bộ chuyển đổi cho bù công suất phản kháng hoặc công tắc bảo vệ cho bộ chuyển đổi điện năng ít mạnh mẽ.
Các Thyristor vẫn là các thiết bị cho các ứng dụng với các cấp điện áp và công suất cao nhất. Họ là một phần của các yếu được sử dụng FACTS-thiết bị lên đến HVDC-Hộp lớn nhất với một mức điện áp trên 500 kV và công suất trên 3.000 MVA.
Để tăng khả năng kiểm soát, GTO-Thyristor đã được phát triển, trong đó có thể được tắt với một điện áp đỉnh ở cổng. Các thiết bị này hiện nay được thay thế bởi Cổng cách đảo mạch Thyristor (IGCT), mà kết hợp lợi thế của Thyristor, với mức thấp nhất thiệt hại trên sân khấu, với tổn thất chuyển mạch thấp. Các chất bán dẫn được sử dụng trong FACTS-thiết bị nhỏ hơn và các ứng dụng ổ đĩa.
Các Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) là nhận được nhiều hơn và quan trọng hơn là tầm quan trong khu vực FACTS. Một IGBT có thể được bật lên với một điện áp tích cực và tắt với một điện áp bằng không. Điều này cho phép một đơn vị ổ đĩa cổng rất đơn giản để con- trol IGBT. Điện áp và công suất cấp độ của các ứng dụng đang trên đường phát triển lên đến 300 kV và 1.000 MVA cho HVDC với Nguồn ổn áp chuyển đổi. Khả năng IGBT bao gồm ngày nay toàn bộ phạm vi của các ứng dụng hệ thống điện.
Một vấn đề quan trọng đối với chất bán dẫn điện là bao bì để đảm bảo một kết nối có thể giáo để các đơn vị ổ cửa khẩu. Mạch điện tử này đảm bảo bên cạnh sự kiểm soát của các chất bán dẫn cũng giám sát và bảo vệ nó. Một sự phát triển trong khu vực Thyristor cố gắng để kích hoạt các Thyristor với một tín hiệu ánh sáng thông qua một sợi quang. Điều này cho phép tách các chất bán dẫn và các cổng đơn vị ổ đĩa. Ưu điểm là mạch điện tử có thể được đưa ra khỏi trường điện từ cao gần với Thyristor. Điểm bất lợi là, rằng sự bảo hộ của Thyristor phải được thực hiện trong Thyristor bản thân, dẫn đến một thành phần vô cùng phức tạp. Một giám sát của Thyristor bởi các đơn vị ổ đĩa cổng là cũng không thể trong trường hợp này, dẫn đến bất lợi cho toàn bộ chuyển đổi. Một vấn đề thứ hai để đóng gói là xếp chồng của các thiết bị bán dẫn. Một số thiết bị cần phải được xếp chồng lên nhau để đạt được mức điện áp cần thiết cho việc áp dụng hệ thống điện. Một bao bì máy móc ổn định cần đảm bảo một phân phối hiện bình đẳng trong các chất bán dẫn. Hình 1.4 cho thấy ba ví dụ về IGCTs xếp chồng lên nhau, Thyristor và IGBT.