The input section of the voltage-di

The input section of the voltage-divider configuration can be represented by the network of Fig. 4.32. The resistance Ri is the equivalent resistance between base and
ground for the transistor with an emitter resistor RE. Recall from Section 4.4 [Eq.
(4.18)] that the reflected resistance between base and emitter is defined by Ri !
(" # 1)RE. If Ri is much larger than the resistance R2, the current IB will be much
smaller than I2 (current always seeks the path of least resistance) and I2 will be approximately equal to I1. If we accept the approximation that IB is essentially zero amperes compared to I1 or I2, then I1 ! I2 and R1 and R2 can be considered series ele-

Kết quả (Việt) 1:

Phần cấu hình áp-dải phân cách, đầu vào có thể được biểu diễn bằng mạng lưới các hình 4,32. Kháng Ri là điện trở tương đương giữa các cơ sở vàmặt đất cho bóng bán dẫn với một emitter điện trở LẠI. Nhớ lại từ phần 4.4 [Eq.(4.18)] cuộc kháng chiến phản ánh giữa cơ sở và emitter được xác định bởi Ri!(" # 1) RE. Nếu Ri là lớn hơn nhiều so với điện trở R2, IB hiện tại sẽ là nhiềunhỏ hơn so với I2 (hiện nay luôn luôn tìm con đường của ít nhất là kháng chiến) và I2 sẽ được xấp xỉ bằng I1. Nếu chúng ta chấp nhận xấp xỉ IB đó là về cơ bản không Ampe so với I1 hoặc I2 thì I1! I2 và R1 và R2 có thể được coi là series ele-

Kết quả (Việt) 2:

Phần đầu vào của các cấu hình điện áp-chia có thể được đại diện bởi các mạng của hình. 4,32. Các kháng Ri là điện trở tương đương giữa các cơ sở và
đất cho các bóng bán dẫn với một RE phát điện trở. Nhớ lại từ Phần 4.4 [Eq.
(4.18)] rằng các kháng thể hiện giữa các cơ sở và emitter được định nghĩa bởi Ri!
( "# 1) RE. Nếu Ri là lớn hơn nhiều so với các kháng R2, IB hiện tại sẽ được nhiều
nhỏ hơn I2 (hiện nay luôn luôn tìm kiếm những con đường ít kháng) và I2 sẽ xấp xỉ bằng với I1. Nếu chúng ta chấp nhận sự xấp xỉ IB về cơ bản là không ampe so với I1 hoặc I2, sau đó I1! I2 và R1 và R2 có thể được coi là loạt tố