Good film adhesion to the wafer.4.

Good film adhesion to the wafer.
4. High deposition rates.
5. High film density due to low pinholes and voids.
6. Low film stress due to lower processing temperature

Kết quả (Việt) 1:

Độ bám dính tốt phim để wafer.4. cao lắng đọng tỷ giá.5. cao phim mật do pinholes thấp và khoảng trống.6. thấp phim căng thẳng do nhiệt độ xử lý thấp hơn

Kết quả (Việt) 2:

Tốt phim bám dính vào wafer.
4. Tỷ lệ lắng đọng cao.
5. Mật độ phim cao do lỗ kim thấp và khoảng trống.
6. Căng thẳng phim thấp do nhiệt độ xử lý thấp