The defect formation can also reduc

The defect formation can also reduce the crystalline quality and increase the interface roughness as well. Consequently, the electron mobility should exhibit a decreasing tendency similarly to the AlGaN/GaN system. Using polynomial laws, we have fitted the electron mobility as calculated versus the thickness of AlN.

Kết quả (Việt) 1:

Khiếm khuyết hình cũng có thể làm giảm chất lượng tinh thể và tăng gồ ghề giao diện. Do đó, điện tử di động nên thể hiện một xu hướng giảm tương tự với hệ thống AlGaN/GaN. Sử dụng đa thức pháp luật, chúng tôi đã trang bị di động điện tử theo tính toán so với độ dày của AlN.

Kết quả (Việt) 2:

Sự hình thành khuyết tật cũng có thể làm giảm chất lượng tinh thể và tăng độ gồ ghề giao diện là tốt. Do đó, sự di chuyển điện tử sẽ biểu lộ một xu hướng giảm tương tự như hệ thống AlGaN / GaN. Sử dụng luật đa thức, chúng tôi đã trang bị các tính di động điện tử theo tính toán so với độ dày của AlN.