Fig. 2 Controllable growth of GON.

Fig. 2 Controllable growth of GON. (a) A typical digital photograph of
the as-grownGONwith a thickness of 25 nm at the interface of liquid and
air. (b) The micrograph of the as-grown GON with a thickness of 18 nm
(within the red dashed line domain) on a quartz substrate (c) The AFM
image of the as-grown GON with a thickness of 1.1 nm. (d) The
temperature dependence of thickness (0.5 M glucose, 4 hours). (e) The
growth time dependence of thickness (0.5 M glucose, 168 C). (f)
The relationship between concentration and thickness (180 C, 4 hours).

Kết quả (Việt) 1:

Hình 2 kiểm soát tăng trưởng của Gòn. (a) một bức ảnh kỹ thuật số điển hình củanhư-grownGONwith độ dày 25 nm tại giao diện của chất lỏng vàmáy. (b) micrograph Gòn theo tăng trưởng với độ dày 18 nm(trong vùng tiêu tan đường đỏ) vào một thạch anh Bo mạch (c) The AFMhình ảnh của Gòn theo tăng trưởng với độ dày 1.1 nm. (d)nhiệt độ phụ thuộc vào độ dày (0.5 M glucose, 4 giờ). (e)sự phát triển thời gian phụ thuộc của độ dày (0.5 M glucose, 168 C). (f)Mối quan hệ giữa nồng độ và độ dày (180 C, 4 giờ).

Kết quả (Việt) 2:

Sung. 2 Điều khiển sự tăng trưởng của GÒN. (a) Một bức ảnh kỹ thuật số điển hình của
các as-grownGONwith độ dày 25 nm tại giao diện của chất lỏng và
khí. (b) Các ảnh chụp hiển vi của như trồng GON với độ dày 18 nm
(trong vòng đỏ đứt dòng tên miền) trên bề mặt thạch anh (c) Các AFM
hình ảnh của như trồng GON với độ dày 1.1 nm. (d) Các
phụ thuộc nhiệt độ của độ dày (0,5 M glucose, 4 giờ). (e) Các
tăng trưởng thời gian phụ thuộc của độ dày (0,5 M glucose, 168? C). (f)
Các mối quan hệ giữa nồng độ và độ dày (180? C, 4 giờ).