due to the presence of a large capa

due to the presence of a large capacitance formed by the gate electrode and the insulator or reverse biased pn-junction

Kết quả (Việt) 1:

do sự hiện diện của một điện dung lớn được hình thành bởi các điện cực cổng và chất cách điện hoặc đảo ngược thiên vị pn-giao lộ

Kết quả (Việt) 2:

do sự hiện diện của một điện dung lớn được hình thành bởi các điện cực cổng và chất cách điện hoặc đảo ngược thành kiến ​​pn-junction