Left to right: Instantaneous field

Left to right: Instantaneous field profiles Hx, Ey, Ez
show a guided mode propagating
down the slit (w= 200 nm, ε2= 1.0) and a reflected beam propagating backward in the
incidence space. Long-range SPPs excited on the front facet of the metallic host (both above
and below the slit) are clearly visible in the Hxand Eyplots. (The incident beam, sourced at
Δy= 10 nm before the entrance facet, is largely absent from these plots, hence the absence of
interference fringes between the incident and reflected beams.)

Kết quả (Việt) 1:

Từ trái sang phải: ngay lập tức lĩnh vực hồ sơ Hx, Ey, EzHiển thị một hướng dẫn chế độ tuyên truyền xuống các khe (w = 200 nm, ε2 = 1.0) và một tia phản xạ tuyên truyền lạc hậu trong các tỷ lệ không gian. Tầm xa SPPs vui mừng trên các khía cạnh trước của lưu trữ bằng kim loại (cả hai đều ở trên và bên dưới các khe) có thể nhìn thấy rõ ràng trong Hxand Eyplots. (Các chùm tia khi gặp sự cố, có nguồn gốc tại Δy = 10 nm trước khi các khía cạnh lối vào, là phần lớn vắng mặt từ các lô, do đó sự vắng mặt của sự can thiệp rìa giữa các sự cố và chùm tia phản xạ.)

Kết quả (Việt) 2:

Từ trái sang phải: cấu lĩnh vực Tức Hx, Ey, Ez
hiển thị một chế độ hướng dẫn tuyên truyền
xuống các khe (w = 200 nm, ε2 = 1,0) và một chùm tia phản xạ truyền ngược trở lại vào
không gian mới mắc. Tầm xa SPPs vui mừng trên khía cạnh trước của máy chủ bằng kim loại (cả trên
và dưới khe) có thể thấy rõ trong Hxand Eyplots. (Các chùm tia tới, có nguồn gốc ở
Δy = 10 nm trước khi khía cạnh lối vào, phần lớn là vắng mặt từ những mảnh đất, do đó sự vắng mặt của
vân giao thoa giữa các sự cố và phản ánh dầm.)