We can also estimate the power diss

We can also estimate the power dissipation in the inverter circuit. We already know that the standby power dissipation is very small, being governed by the OFF state leakage current of either the NMOSFET or the PMOSFET, depending on the logic state. This leakage current depends on the source and drain diode leakage currents, or if the VT is low, on the subthreshold leakage of the MOSFET that is turned OFF (see Section 6.5.7)

Kết quả (Việt) 1:

Chúng tôi cũng có thể ước tính tản điện mạch biến tần. Chúng ta đã biết rằng tản điện dự phòng là rất nhỏ, được quản lý bởi hiện nay rò rỉ OFF nhà nước của NMOSFET hoặc PMOSFET, tùy thuộc vào nhà nước logic. Rò rỉ này hiện tại phụ thuộc vào dòng rò rỉ diode nguồn và cống, hoặc nếu VT là thấp, trên sự rò rỉ subthreshold của MOSFET, mà bị tắt (xem phần 6.5.7)

Kết quả (Việt) 2:

Chúng tôi cũng có thể ước tính tản quyền lực trong mạch biến tần. Chúng ta đã biết rằng các tản điện dự phòng là rất nhỏ, bị chi phối bởi sự rò rỉ nhà nước OFF hiện tại của một trong hai NMOSFET hoặc PMOSFET, tùy thuộc vào trạng thái logic. Rò rỉ này hiện nay phụ thuộc vào nguồn và diode cống dòng rò, hoặc nếu VT là thấp, trên dưới ngưỡng rò rỉ của các MOSFET được bật OFF (xem Phần 6.5.7)