The reliance of the power electroni

The reliance of the power electronics industry upon bipolar devices was challenged by the introduction of a new MOS gate controlled power device technology in the 1980s. The power MOS field effect transistor (MOSFET) evolved from the MOS integrated circuit technology. The new device promised extremely low input power levels and no inherent limitation to the switching speed. Thus, it opened up the possibility of increasing the operating frequency in power electronic systems resulting in reduction in size and weight. The initial claims of infinite current gain for the power MOSFET were, however, diluted by the need to design the gate drive circuit to account for the pulse currents required to charge and discharge the high input capacitance of these devices. At high frequency of operation the required gate drive power becomes substantial. MOSFETs also have comparatively higher on state resistance per unit area of the device cross section which increases with the blocking voltage rating of the device. Consequently, the use of MOSFET has been restricted to low voltage (less than about 500 volts) applications where the ON state resistance reaches acceptable values. Inherently fast switching speed of these devices can be effectively utilized to increase the switching frequency beyond several hundred kHz.

Kết quả (Việt) 2:

Sự phụ thuộc của ngành công nghiệp điện tử trên thiết bị lưỡng cực được thử thách bằng việc giới thiệu một cổng kiểm soát công nghệ thiết bị điện MOS mới trong năm 1980. MOS điện hiệu quả lĩnh vực bóng bán dẫn (MOSFET) phát triển từ công nghệ mạch tích hợp MOS. Thiết bị mới này hứa hẹn mức năng lượng đầu vào rất thấp và không có giới hạn vốn có tốc độ chuyển đổi. Vì vậy, nó đã mở ra khả năng tăng tần số hoạt động trong các hệ thống điện tử công suất dẫn đến giảm kích thước và trọng lượng. Những tuyên bố ban đầu của lợi dòng vô hạn cho các MOSFET điện được, tuy nhiên, pha loãng bởi sự cần thiết phải thiết kế các mạch điều khiển cổng vào tài khoản cho các dòng xung cần thiết để sạc và xả điện dung đầu vào cao của các thiết bị này. Ở tần số cao của hoạt động các ổ điện cổng cần thiết trở nên đáng kể. MOSFETs cũng có tương đối cao về kháng nhà nước trên một đơn vị diện tích của mặt cắt ngang thiết bị làm tăng với các mức điện áp ngăn chặn các thiết bị. Do đó, việc sử dụng MOSFET bị hạn chế để điện áp thấp (ít hơn khoảng 500 volt) ứng dụng trong đó kháng trạng thái ON đạt giá trị chấp nhận được. Bẩm tốc độ chuyển đổi nhanh chóng của các thiết bị này có thể được sử dụng hiệu quả để tăng tần số chuyển mạch ngoài vài trăm kHz.