After a bank has been activated, a

After a bank has been activated, a read or write cycle can be executed. This is accomplished by setting RAS HIGH,
CS and CAS LOW at the clock’s rising edge. WE must also be defined at this time to determine whether the access
cycle is a read operation (WE HIGH) or a write operation (WE LOW).
The DDR2 SDRAM provides a fast column access operation. A single Read or Write Command will initiate a serial
read or write operation on successive clock cycles. The boundary of the burst cycle is strictly restricted to specific
segments of the page length. For example, the 32 Mbit x 4 I/O x 4 Bank chip has a page length of 2048 bits (defined
by CA0-CA9, CA11). The page length of 2048 is divided into 512 or 256 uniquely addressable boundary segments
depending on burst length, 512 for 4 bit burst, 256 for 8 bit burst respectively. A 4-bit or 8-bit burst operation will

Kết quả (Việt) 1:

Sau khi một ngân hàng đã được kích hoạt, một mùa thi đọc hoặc viết có thể được thực hiện. Điều này được thực hiện bằng cách thiết lập cao RAS,CS và CAS thấp cạnh tăng của đồng hồ. Chúng tôi cũng phải được xác định tại thời điểm này để xác định xem người truy cậpchu kỳ là một hoạt động đọc (chúng tôi cao) hoặc một hoạt động viết (chúng tôi thấp).DDR2 SDRAM cung cấp một hoạt động truy cập nhanh chóng cột. Một đơn đọc hoặc viết lệnh sẽ bắt đầu một sê-riđọc hoặc viết các hoạt động trên chu kỳ đồng hồ liên tiếp. Ranh giới của chu kỳ bùng nổ là nghiêm hạn chế cụ thểphân đoạn thời trang. Ví dụ, I/O Mbit x 4 32 x 4 ngân hàng chip có chiều dài trang 2048 bit (được định nghĩabởi CA0-CA9, CA11). Chiều dài trang 2048 được chia thành 256 hoặc 512 các phân đoạn ranh giới địa chỉ duy nhấttùy thuộc vào chiều dài burst, 512 cho nổ 4 bit, 256 cho 8 bit nổ tương ứng. Hoạt động 4-bit hoặc 8-bit burst sẽ

Kết quả (Việt) 2:

Sau khi một ngân hàng đã được kích hoạt, một đọc hoặc viết chu kỳ có thể được thực thi. Điều này được thực hiện bằng cách thiết lập RAS CAO,
CS và CAS LOW ở cạnh lên của đồng hồ. WE cũng phải được xác định tại thời điểm này để xác định xem việc tiếp cận
chu trình là một hoạt động đọc (CHÚNG TÔI CAO) hoặc một hoạt động viết (WE LOW).
Các DDR2 SDRAM cung cấp một hoạt động truy cập cột nhanh. Một đọc hay viết lệnh sẽ tiến hành nối tiếp
đọc hoặc viết hoạt động trên các chu kỳ đồng hồ kế tiếp. Ranh giới của chu kỳ bùng nổ nghiêm giới hạn cụ thể
phân đoạn với chiều dài trang. Ví dụ, 32 Mbit x 4 I / O x 4 con chip Ngân hàng có một chiều dài trang 2048 bit (được xác định
bởi CA0-CA9, CA11). Chiều dài trang 2048 được chia thành 512 hoặc 256 phân đoạn ranh giới địa chỉ duy nhất
tùy thuộc vào chiều dài burst, 512 cho 4 bit nổ, 256 cho 8 bit vỡ tương ứng. A 4-bit hoặc 8-bit hoạt động nổ sẽ