The lumped circuit model is simulat

The lumped circuit model is simulated and the Sparameter results are compared with the 3D full wave simulation as shown in Fig. 4, where they show good agreement up to 10 GHz. For the heavily doped substrate, the lumped circuit model for the heavily-doped case is proposed in Fig. 5, where the heavily doped silicon can be approximated to a single node due to its high conductance, and its elements interpretation are also summarized in TABLE II. The lumped circuit model is simulated and the S-parameter results are compared with the 3D full wave simulation as shown in Fig. 6, where they show good agreement up to 10 GHz. Moreover, an equivalent lumped
model for more than two stratified layers (say five or six) can be obtained by cascading the appropriate model according to the doping level.

Kết quả (Việt) 1:

Mô hình mạch gộp mô phỏng và kết quả Sparameter được so sánh với mô phỏng 3D đầy đủ sóng như minh hoạ trong hình 4, nơi họ cho thấy thoả thuận tốt lên đến 10 GHz. Cho chất nền rất nhiều sườn, mô hình gộp mạch cho trường hợp nặng nề doped được đề xuất trong hình 5, nơi rất nhiều sườn silic có thể được ước chừng một nút duy nhất do dẫn cao của nó, và giải thích các yếu tố của nó cũng được tóm tắt trong bảng II. Mô hình mạch gộp mô phỏng và kết quả tham số S được so sánh với mô phỏng 3D đầy đủ sóng như minh hoạ trong hình 6, nơi họ cho thấy thoả thuận tốt lên đến 10 GHz. Hơn nữa, một tương đương gộpMô hình cho hơn hai phân tầng lớp (nói năm hoặc sáu) có thể được thu được bằng tầng mô hình thích hợp theo mức doping.

Kết quả (Việt) 2:

Các mô hình mạch gộp được mô phỏng và kết quả Sparameter được so sánh với các mô phỏng sóng 3D đầy đủ như hình. 4, nơi mà họ cho thấy thỏa thuận tốt lên đến 10 GHz. Đối với các chất nền nhiều pha tạp, mô hình mạch gộp cho các trường hợp nặng nề pha tạp được đề xuất trong hình. 5, nơi silicon nhiều pha tạp có thể xấp xỉ với một nút duy nhất do độ dẫn cao của nó, và các yếu tố giải thích của nó cũng được tóm tắt trong Bảng II. Các mô hình mạch gộp được mô phỏng và kết quả S-tham số được so sánh với các mô phỏng sóng 3D đầy đủ như hình. 6, nơi họ thấy thỏa thuận tốt lên đến 10 GHz. Hơn nữa, một gộp tương đương
mô hình cho nhiều hơn hai lớp phân tầng (nói năm hoặc sáu) có thể thu được của tầng mô hình thích hợp theo mức doping.