A new second-order tri-band microst

A new second-order tri-band microstrip BPF constructed using TSSIRs has been proposed to provide three commercially practical passbands centered at 1.57, 2.45, and 3.5 GHz. With the three passband center frequencies specified, the impedance ratios required in the design of the TSSIR can be determined easily using a set of analytic formulas presented in this letter. The measurement for the fabricated BPF was seen to agree quite well with the simulation. The measured minimum insertion losses were found to be as small as 0.77, 1.51, and 1.8 dB for the three passbands. In addition, because of the near-passband-edge transmission zeros due to the cross-coupled configuration, sharp passband skirts of the BPF have been observed.

Kết quả (Việt) 1:

Microstrip một thứ hai để tri-band mới hạm xây dựng bằng cách sử dụng TSSIRs đã được đề xuất để cung cấp ba passbands thực tế thương mại Trung tâm tại 1.57, 2,45 và 3,5 GHz. Với ba passband Trung tâm tần số được chỉ định, các tỷ lệ trở kháng cần thiết trong việc thiết kế TSSIR có thể được xác định dễ dàng bằng cách sử dụng một tập hợp các công thức phân tích trình bày trong thư này. Đo lường cho hạm chế tạo được coi là đồng ý khá tốt với các mô phỏng. Đo chèn tối thiểu thiệt hại đã được tìm thấy để làm nhỏ như 0,77, 1,51 và cách 1.8 dB cho ba passbands. Ngoài ra, bởi vì việc chuyển gần-passband-cạnh Zero do cross-cùng cấu hình, sắc nét passband váy của hạm đã được quan sát.

Kết quả (Việt) 2:

Một bậc hai tri-band microstrip mới BPF xây dựng bằng TSSIRs đã được đề xuất để cung cấp ba dải phổ thương mại thực tế tâm tại 1,57, 2,45 và 3,5 GHz. Với ba tần số trung tâm dải thông quy định, tỷ lệ trở kháng cần thiết trong việc thiết kế các TSSIR có thể được xác định dễ dàng bằng cách sử dụng một tập hợp các công thức phân tích được trình bày trong bức thư này. Việc đánh giá BPF chế tạo đã được thấy là phù hợp khá tốt với các mô phỏng. Các khoản lỗ chèn tối thiểu đo được tìm thấy là nhỏ như 0.77, 1.51, và 1,8 dB cho ba dải phổ. Ngoài ra, vì các số không truyền gần dải thông tiến do cấu hình cross-coupled, váy dải thông mạnh của BPF đã được quan sát thấy.