Padmavathy and Vijayaraghavan [12]

Padmavathy and Vijayaraghavan [12] as follows. The electronic band structure of ZnO, as a semiconductor material consists of a conduction band (CB) and a valence band (VB). Incident radiation with photons of energy greater than 3.3 eV is immediately absorbed, thus the electrons move from the VB to the CB. This electron transfer initiates a series of possible photoreactions.

Kết quả (Việt) 1:

Padmavathy và Vijayaraghavan [12] như sau. Cấu trúc điện tử của ZnO, như là một vật liệu bán dẫn bao gồm một ban nhạc dẫn (CB) và một ban nhạc valence (VB). Sự cố bức xạ với photon năng lượng lớn hơn 3.3 eV được ngay lập tức hấp thụ, do đó các điện tử di chuyển từ BB để CB. Chuyển giao điện tử này bắt đầu một loạt các photoreactions có thể.

Kết quả (Việt) 2:

Padmavathy và Vijayaraghavan [12] như sau. Cơ cấu ban nhạc điện tử của ZnO, như một vật liệu bán dẫn bao gồm một vùng dẫn (CB) và một dải hóa trị (VB). Sự cố bức xạ với các photon năng lượng lớn hơn 3,3 eV được hấp thụ ngay lập tức, do đó các electron di chuyển từ VB cho CB. Chuyển điện tử này khởi xướng một loạt các photoreactions có thể.