VGS where strong inversion layer ha

VGS where strong inversion layer has formed.
Typical values 2- 5 volts in power MOSFETs
• Value determined by several factors
1. Type of material used for gate conductor
2. Doping density of body region directly
beneath gate
3. Impurities/bound charges in oxide
4. Oxide capacitance per unit area Cox =
oxide thickness
• Adjust threshold voltage during device
fabrication via an ion implantation of
impurities into body region just beneath
gate oxide.

Kết quả (Việt) 1:

VGS nơi đảo ngược mạnh mẽ lớp đã hình thành.Đặc trưng giá trị 2 - 5 volts tại điện MOSFETs• Giá trị được xác định bởi một số yếu tố1. loại vật liệu được sử dụng cho cổng dẫn2. doping mật độ của vùng cơ thể trực tiếpdưới cổng3. tạp chất/ràng buộc tội trong ôxít4. ôxít điện dung trên đơn vị diện tích Cox = ôxít dày• Điều chỉnh điện áp ngưỡng trong thời gian thiết bịsản xuất thông qua một cấy ion củaCác tạp chất vào cơ vùng chỉ bên dướiGate ôxít.

Kết quả (Việt) 2:

VGS nơi lớp đảo ngược mạnh đã hình thành.
Giá trị tiêu biểu 2- 5 volts trong MOSFETs điện
• Giá trị được xác định bởi một số yếu tố
1. Loại vật liệu sử dụng cho cửa dẫn
2. Doping mật độ vùng cơ thể trực tiếp
dưới cửa
3. Các tạp chất / phí ràng buộc trong oxit
4. Oxide dung trên một đơn vị diện tích Cox =
độ dày oxit
• Điều chỉnh điện áp ngưỡng trong thiết bị
chế tạo thông qua một cấy ion của
tạp chất vào vùng cơ thể chỉ dưới
oxit cửa khẩu.