In the third generation glucose sensor, the GOx is directly coupled to dịch - In the third generation glucose sensor, the GOx is directly coupled to Việt làm thế nào để nói

In the third generation glucose sen

In the third generation glucose sensor, the GOx is directly coupled to the electrode. The direct
electron transfer efficiently generates an amperometric output signal. The improved sensing
performance by the direct electron transfer has been realized by incorporating the enzyme with
metal nanoparticles [64,65], and semiconductive nanomaterials [66,67]. The nanocrystalline
metal-oxide plays a vital role in the enzyme immobilization owing to its highly specific surface
area, good biocompatibility and stability [68]. Liu et al. fabricated a novel third generation
amperometric glucose sensor based on the aligned ZnO nanorod formed on an ITO electrode



Sensors 2010, 10
4860
(Figure 3). The immobilized GOx on the ZnO nanorod shows still high catalytic activity, effective
protection by Nafion (perfluorosulfonate ionomer) membrane cast on the film, a wide linear range
with good selectivity and freedom from the interference effects of uric acid and ascorbic acid in real
samples [69].
Figure 3. Schematic illustration of the preparation of the third generation amperometric
glucose sensor based on the GOx-immobilized aligned ZnO nanorod (redrawn from
reference [69]).

0/5000
Từ: -
Sang: -
Kết quả (Việt) 1: [Sao chép]
Sao chép!
Cảm biến thế hệ đường thứ ba, GOx trực tiếp cùng với các điện cực. Trực tiếpchuyển khoản điện tử hiệu quả tạo ra một tín hiệu đầu ra amperometric. Cảm biến cải tiếnhiệu suất bằng cách chuyển khoản trực tiếp điện tử đã được thực hiện bằng cách kết hợp loại enzyme vớikim loại hạt nano [64,65], và vật liệu nano semiconductive [66,67]. Nanocrystallineoxit kim loại đóng một vai trò quan trọng trong enzyme cố định do bề mặt của nó rất cụ thểkhu vực, biocompatibility tốt và ổn định [68]. Liu et al. chế tạo một cuốn tiểu thuyết thế hệ thứ baamperometric glucose cảm biến dựa trên ZnO nanorod liên kết được hình thành trên một điện cực ITO Bộ cảm biến năm 2010, 104860(Hình 3). GOx immobilized trên ZnO nanorod cho thấy hoạt động xúc vẫn còn cao, hiệu quảbảo vệ bởi lớp màng Nafion (perfluorosulfonate ionomer), diễn viên trên phim, một phạm vi rộng tuyến tínhvới tốt chọn lọc và tự do từ những ảnh hưởng sự can thiệp của uric acid và axít ascorbic ở realmẫu [69].Hình 3. Sơ đồ minh hoạ việc chuẩn bị của amperometric thế hệ thứ baglucose cảm biến dựa trên GOx hỏng liên kết (vẽ lại từ ZnO nanorodtài liệu tham khảo [69]).
đang được dịch, vui lòng đợi..
 
Các ngôn ngữ khác
Hỗ trợ công cụ dịch thuật: Albania, Amharic, Anh, Armenia, Azerbaijan, Ba Lan, Ba Tư, Bantu, Basque, Belarus, Bengal, Bosnia, Bulgaria, Bồ Đào Nha, Catalan, Cebuano, Chichewa, Corsi, Creole (Haiti), Croatia, Do Thái, Estonia, Filipino, Frisia, Gael Scotland, Galicia, George, Gujarat, Hausa, Hawaii, Hindi, Hmong, Hungary, Hy Lạp, Hà Lan, Hà Lan (Nam Phi), Hàn, Iceland, Igbo, Ireland, Java, Kannada, Kazakh, Khmer, Kinyarwanda, Klingon, Kurd, Kyrgyz, Latinh, Latvia, Litva, Luxembourg, Lào, Macedonia, Malagasy, Malayalam, Malta, Maori, Marathi, Myanmar, Mã Lai, Mông Cổ, Na Uy, Nepal, Nga, Nhật, Odia (Oriya), Pashto, Pháp, Phát hiện ngôn ngữ, Phần Lan, Punjab, Quốc tế ngữ, Rumani, Samoa, Serbia, Sesotho, Shona, Sindhi, Sinhala, Slovak, Slovenia, Somali, Sunda, Swahili, Séc, Tajik, Tamil, Tatar, Telugu, Thái, Thổ Nhĩ Kỳ, Thụy Điển, Tiếng Indonesia, Tiếng Ý, Trung, Trung (Phồn thể), Turkmen, Tây Ban Nha, Ukraina, Urdu, Uyghur, Uzbek, Việt, Xứ Wales, Yiddish, Yoruba, Zulu, Đan Mạch, Đức, Ả Rập, dịch ngôn ngữ.

Copyright ©2024 I Love Translation. All reserved.

E-mail: