where Nk and lk both represent the

where Nk and lk both represent the occupancy factor and the electron mobility for the kth subband. Results are depicted in Fig. 5. It should be noted that the subband contributions are well separated by using this approach. As can be seen, an improvement in the electron mobility is achieved and the total mobility reaches the value of 2000 cm2/V s. As is also shown, the electron mobility decreases as temperature increases for the ground energy subband. It does not, however, exhibit a significant change for the first and second excited subbands as temperature varies.

Kết quả (Việt) 1:

nơi Nk và lk đại diện cho yếu tố cư và di chuyển electron cho kth subband. Kết quả này được mô tả trong hình 5. Cần lưu ý những đóng góp của subband cũng được tách ra bằng cách sử dụng cách tiếp cận này. Như có thể thấy, sự cải thiện tính di động điện tử được thực hiện và vận động tất cả đạt đến giá trị của s cm2/V năm 2000. Như cũng xuất hiện, vận động điện tử giảm khi nhiệt độ tăng cho đất năng lượng subband. Nó không, Tuy nhiên, triển lãm một thay đổi đáng kể cho các subbands đầu tiên và thứ hai là vui mừng như nhiệt độ khác nhau.

Kết quả (Việt) 2:

nơi Nk và lk cả hai đại diện cho yếu tố chiếm dụng và tính di động điện tử cho các băng con thứ k. Kết quả được mô tả trong hình. 5. Cần lưu ý rằng những đóng góp băng con được tách ra cũng bằng cách sử dụng phương pháp này. Như có thể thấy, một sự cải tiến trong tính di động điện tử có thể đạt được và tổng số di động đạt giá trị 2.000 cm2 / V s. Như cũng được hiển thị có độ linh động electron giảm khi nhiệt độ tăng lên đối với các băng con năng lượng mặt đất. Nó không, tuy nhiên, hiện một sự thay đổi đáng kể đối với các băng con vui mừng đầu tiên và thứ hai là nhiệt độ thay đổi.