Silicon nanowires have received con

Silicon nanowires have received considerable attention as transistor components because they represent a facile route toward sub-100-nm single-crystalline Si features. Herein we demonstrate the direct vertical integration of Si nanowire arrays into surrounding gate field effect transistors without the need for postgrowth nanowire assembly processes. The device fabrication allows Si nanowire channel diameters to be readily reduced to the 5-nm regime. These first-generation vertically integrated nanowire field effect transistors (VINFETs) exhibit electronic properties that are comparable to other horizontal nanowire field effect transistors (FETs) and may, with further optimization, compete with advanced solid-state nanoelectronic devices.

Kết quả (Việt) 2:

Dây nano silicon đã nhận được sự chú ý đáng kể như các thành phần bán dẫn vì họ đại diện cho một con đường dễ dãi đối với phụ-100-nm đơn tinh thể Si tính năng. Ở đây chúng tôi chứng minh sự liên kết dọc trực tiếp của các mảng dây nano Si vào xung quanh hiệu quả lĩnh vực bóng bán dẫn cổng mà không cần cho quá trình lắp ráp postgrowth dây nano. Việc chế tạo thiết bị cho phép Si kênh dây nano có đường kính được dễ dàng giảm chế độ 5-nm. Những thế hệ đầu tiên được tích hợp theo chiều dọc transistor hiệu ứng trường dây nano (VINFETs) triển lãm đặc tính điện tử có thể so sánh ngang với hiệu ứng trường dây nano bán dẫn khác (FET) và có thể, với tối ưu hóa hơn nữa, cạnh tranh với các thiết bị tiên tiến nanoelectronic trạng thái rắn.