VSSC begins to rise by the cell leakage. When VSSC level reaches the threshold voltage of the diodeconnected nMOS clamp transistor, N2, it turns on and VSSC is clamped at the level of its threshold voltag
VSSC bắt đầu tăng lên bởi sự rò rỉ điện. Khi VSSC mức đạt ngưỡng điện áp của diodeconnected nMOS kẹp bóng bán dẫn, N2, nó chỉ và VSSC kẹp ở cấp độ của ngưỡng voltag
VSSC bắt đầu tăng do sự rò rỉ của tế bào. Khi mức VSSC đạt đến ngưỡng điện thế của transistor nMOS kẹp diodeconnected, N2, nó quay về và VSSC được kẹp ở mức voltag ngưỡng của nó