In the preceding discussion of the

In the preceding discussion of the rectangular microstrip
patch antenna it was assumed that both patch side dimensions
were appreciable fractions of a wavelength and that the patch
was excited as a two-dimensional cavity resonator. By making
one side length resonant and the other patch dimension very
thin, a microstrip dipole is formed. By printing one arm of the
dipole on one side of the substrate and the other arm on the
opposite side, and spacing the substrate dipole one-quarter
wavelength from a ground plane, either a bow-tie dipole
[ 791 or a thin rectangular dipole printed circuit element [801
is formed which can then be used in an array configuration.
However, because the spacing to the ground plane is a quarterwavelength, these printed dipoles are not properly classified
as microstrip printed dipoles which use electrically thin substrates. Oltman [81 ] has pointed out that thin resonant microstrip dipoles can be efficiently excited by electromagnetic
proximity coupling to a microstrip transmission line imbedded
in the substrate. Huebner [ 8 2 ] has successfully used this
technique in the development of a 24-element X-band array
of electromagnetically coupled microstrip dipoles. In addition
linear resonant or traveling-wave arrays of printed monopoles or open-circuit microstrip radiators have been shown
[83] to be efficient and relatively broadband antennas. One
advantage of the printed dipole or open-circuit radiator is
an inherent capability of larger bandwidth than is obtainable
from a simple microstrip patch.
A rigorous analysis of thin-wire printed microstrip dipoles
and coupled dipoles has been provided by Rana and
Alexopoulos [841. It has been found that the input impedance
is not critically dependent on the gap length so long as that
length is less than 0.1 io. Fig. 33(a) shows the computed
input impedance versus printed dipole length for a substrate
with E , = 3.25, f = 0.1016 b,and 0.0001 &, wire diameter
[841. The first resonance is obtained for a dipole length of
0.317 Xo, for which the input resistance is 34.5 a.At a
length of 0.500 X,,, the input resistance is 330-j880 a. The
relatively gentle slope of the input reactance at the Fist
resonance is evidence of the low Q behavior of the microstrip dipole for this length.
The same technique presented above can be easily extended to compute the mutual impedance between parallel,
collinear, and echelon microstrip dipoles. Fig. 33(b) is a
graph of the mutual impedance between two parallel broad-

Kết quả (Việt) 1:

Trong các cuộc thảo luận trước của microstrip hình chữ nhậtăng-ten vá nó giả định rằng cả hai vá kích thước bênđã là đáng các phần phân đoạn của bước sóng và rằng các bản válà vui mừng như một cộng hưởng khoang hai chiều. Bằng cáchchiều dài một bên cộng hưởng và bản vá lỗi kích thước rấtmỏng, một lưỡng cực microstrip được thành lập. Bằng cách in Ấn một cánh tay của cáclưỡng cực ở một bên của bề mặt và cánh tay còn lại trên cácđối diện bên, và khoảng cách lưỡng cực bề mặt một phần tưbước sóng từ một máy bay mặt đất, hoặc là một lưỡng cực nơ[791 hoặc một phần tử mạch in lưỡng cực mỏng hình chữ nhật [801thành lập mà sau đó có thể được sử dụng trong một loạt các cấu hình.Tuy nhiên, bởi vì khoảng cách với mặt phẳng mặt đất là một quarterwavelength, các dipoles in được không đúng cách phân loạinhư microstrip in dipoles sử dụng điện mỏng chất nền. Oltman [81] đã chỉ ra rằng mỏng cộng hưởng microstrip dipoles có thể hiệu quả được vui mừng bằng điện từgần khớp nối vào một đường truyền microstrip nhúngở bề mặt. Huebner [8 2] đã thành công sử dụng nàycác kỹ thuật trong việc phát triển một 24-yếu tố X-band mảngcủa electromagnetically cùng microstrip dipoles. Ngoài rađã được chứng minh tuyến tính cộng hưởng hoặc đi du lịch-wave mảng in monopoles hoặc mở mạch microstrip bộ tản nhiệt[83] để là hiệu quả và băng thông rộng tương đối ăng-ten. Một trong nhữnglợi thế của in lưỡng cực hoặc tản nhiệt mở mạch làmột khả năng vốn có của băng thông lớn hơn là có thể đạt đượctừ một bản vá đơn giản microstrip.Một phân tích nghiêm ngặt của dây mỏng in microstrip dipolesvà cùng dipoles đã được cung cấp bởi Rana vàAlexopoulos [841. Nó đã là thấy rằng trở kháng đầu vàokhông phải là cực kỳ phụ thuộc vào độ dài khoảng cách lâu như thếchiều dài là ít hơn 0.1 io. Hình 33(a) cho thấy các tínhtrở kháng đầu vào so với chiều dài in lưỡng cực cho một bề mặtvới E, = 3,25, f = 0.1016 b, và đường kính 0,0001 &, dây dẫn[841. các cộng hưởng đầu tiên thu được trong một khoảng lưỡng cựcXo 0.317, mà cuộc kháng chiến đầu vào là 34,5 a.At mộtchiều dài của 0.500 X,,, kháng đầu vào là 330-j880 a. cáctương đối nhẹ nhàng dốc của reactance đầu vào lúc quyềncộng hưởng là bằng chứng về hành vi Q thấp của lưỡng cực microstrip trong khoảng thời gian này.Kỹ thuật tương tự trình bày ở trên có thể được dễ dàng mở rộng để tính toán trở kháng lẫn nhau giữa song song,hoặc, và echelon microstrip dipoles. 33(b) hình là mộtđồ thị của trở kháng lẫn nhau giữa hai rộng song song-

Kết quả (Việt) 2:

Trong các cuộc thảo luận trước đó của hình chữ nhật microstrip
vá ăng-ten nó đã được giả định rằng cả hai kích thước bên vá
là phân số đáng của một bước sóng và các bản vá
đã vui mừng như một hộp cộng hưởng hai chiều. Bằng cách làm cho
chiều dài một bên cộng hưởng và kích thước miếng vá khác rất
mỏng, một lưỡng cực microstrip được hình thành. Bằng cách in một cánh tay của
lưỡng cực ở một bên của cơ chất và cánh tay kia trên
phía đối diện, và khoảng cách giữa các bề mặt lưỡng cực một phần tư
bước sóng từ một máy bay mặt đất, hoặc là một lưỡng cực bow-tie
[791 hoặc một lưỡng cực hình chữ nhật mỏng in mạch element [801
được hình thành sau đó có thể được sử dụng trong một cấu hình mảng.
Tuy nhiên, bởi vì khoảng cách với mặt phẳng mặt đất là một quarterwavelength, các lưỡng cực in không được phân loại đúng
như microstrip in lưỡng cực mà sử dụng chất điện mỏng. Oltman [81] đã chỉ ra rằng các lưỡng cực microstrip cộng hưởng mỏng có thể có hiệu quả kích thích bằng điện
gần khớp nối với một đường dây truyền tải microstrip nhúng
trong chất nền. Huebner [8 2] đã sử dụng thành công này
kỹ thuật trong sự phát triển của một 24 phần tử X-band mảng
của lưỡng cực điện từ microstrip cùng. Ngoài ra
tuyến tính mảng cộng hưởng hoặc sóng truyền của các đơn cực in hoặc hở mạch tản nhiệt microstrip đã được chứng minh
[83] được hiệu quả và tương đối băng thông rộng ăng-ten. Một
lợi thế của lưỡng cực hoặc hở mạch tản nhiệt in là
một khả năng vốn có của băng thông lớn hơn là có thể đạt được
từ một bản vá microstrip đơn giản.
Một phân tích nghiêm ngặt của mỏng dây in lưỡng cực microstrip
và lưỡng cực cùng đã được cung cấp bởi Rana và
Alexopoulos [841. Nó đã được tìm thấy rằng trở kháng đầu vào
không phải là phê bình phụ thuộc vào độ dài khoảng cách chừng đó
thời gian là ít hơn 0,1 io. Sung. 33 (một) cho thấy những tính toán
trở kháng đầu vào so với chiều dài lưỡng cực được in cho một chất nền
với E, = 3.25, f = 0,1016 b, và 0.0001 &, đường kính dây
[841. Các cộng hưởng đầu tiên là thu được cho một chiều dài lưỡng cực của
0,317 Xo, mà các kháng đầu vào là 34,5 a.At một
chiều dài 0,500 X ,,, các kháng đầu vào là 330-j880 a. Các
độ dốc tương đối nhẹ nhàng của điện kháng đầu vào tại Fist
cộng hưởng là bằng chứng về hành vi Q thấp của dipole microstrip cho chiều dài này.
Các kỹ thuật tương tự đã trình bày ở trên có thể dễ dàng mở rộng để tính toán trở kháng lẫn nhau giữa song song,
thẳng hàng, và lưỡng cực cấp có microstrip . Sung. 33 (b) là một
đồ thị của các trở kháng lẫn nhau giữa hai đài truyền song song