A. Circuitry ImplementationsThere h

A. Circuitry Implementations
There have been a large number RF energy harvester
implementations based on various different technologies such
as CMOS, HSMS and SMS. Table III shows the circuit
performance of some up-to-date designs. Most of the implementations are based on the CMOS technology. Generally, to
achieve 1V DC output, -22 dBm to -14 dBm harvested RF
power is required. Though CMOS technology allows a lower
minimum RF input power, the peak RF-to-DC conversion
efficiency is usually inferior to that of HSMS technology. The
efficiency above 70% can be achieved when the harvested
power is above -10 dBm. For RF energy harvesting at a
relatively high power (e.g., 40 dBm/10W), SMS technology
can be adopted. In particular, as shown in [101], 30V output
voltage is achieved at 40 dBm input RF power with 85%
conversion efficiency. However, when the harvested RF power
is low, the conversion efficiency is low. For example, only 10%
as input power is -10 dBm [102].

Kết quả (Việt) 1:

A. mạch triển khaiĐã có một số lượng lớn harvester RF năng lượngtriển khai dựa trên các công nghệ khác nhau như vậynhư CMOS, HSMS và tin nhắn SMS. Bảng III cho thấy các mạchhiệu suất của một số thiết kế mới nhất. Hầu hết các triển khai dựa trên công nghệ CMOS. Nói chung, đểđạt được 1V DC đầu ra, thu hoạch-22 dBm để-14 dBm RFsức mạnh là cần thiết. Mặc dù công nghệ CMOS cho phép thấp hơntối thiểu RF input power, đỉnh RF để DC chuyển đổihiệu quả là thường kém hơn so với các công nghệ HSMS. Cáchiệu suất trên 70% có thể đạt được khi các thu hoạchsức mạnh là ở trên-10 dBm. Đối với RF năng lượng thu hoạch tại mộtnăng lượng tương đối cao (ví dụ: 40 dBm/10W), công nghệ tin nhắn SMScó thể được thông qua. Cụ thể, như đầu ra Hiển thị trong [101], 30Vđiện áp là đạt được tại 40 dBm nhập RF quyền lực với 85%chuyển đổi hiệu quả. Tuy nhiên, khi năng lượng RF thu hoạchlà thấp, hiệu quả chuyển đổi là thấp. Ví dụ, chỉ có 10%như là đầu vào quyền lực là-10 dBm [102].

Kết quả (Việt) 2:

A. Mạch Triển khai
Đã có một số lớn năng lượng RF gặt
triển khai dựa trên các công nghệ khác nhau khác nhau như
là CMOS, HSMS và tin nhắn SMS. Bảng III cho thấy các mạch
hiệu suất của một số thiết kế up-to-date. Hầu hết các triển khai dựa trên công nghệ CMOS. Thông thường, để
đạt được 1V DC đầu ra, -22 dBm đến -14 dBm thu hoạch RF
năng lượng là cần. Mặc dù công nghệ CMOS cho phép thấp hơn
công suất RF đầu vào tối thiểu, việc chuyển đổi đỉnh RF-to-DC
hiệu quả thường là kém hơn so với công nghệ HSMS. Các
hiệu quả trên 70% có thể đạt được khi thu hoạch
năng lượng là trên -10 dBm. Đối với thu năng lượng RF tại một
sức mạnh tương đối cao (ví dụ, 40 dBm / 10W), công nghệ tin nhắn SMS
có thể được thông qua. Đặc biệt, như trong [101], 30V đầu ra
điện áp được thực hiện tại 40 dBm điện đầu vào RF với 85%
hiệu suất chuyển đổi. Tuy nhiên, khi sức mạnh RF thu hoạch
thấp, hiệu suất chuyển đổi là thấp. Ví dụ, chỉ có 10%
là năng lượng đầu vào là -10 dBm [102].