If only elastic band-to-band tunnel

If only elastic band-to-band tunneling can occur (as assumed in our simulation) the excess of holes in the channel
lowers the channel potential, increasing the off current and S, as shown in Fig. 1: the lower the energy gap and the
higher the VDS, the higher the HIBL effect. HIBL is more pronounced in CNT-FETs than in GNR-FETs, because
the conduction band of CNTs is double degenerate and therefore CNTs have twice the density of states of GNRs
with the same gap.
If, on the other hand, inelastic band-to-band tunneling or Schockley-Read-Hall mechanisms are relevant, holes
can recombine with electrons at the source and, instead of HIBL, we observe a leakage current from source to
drain due to gate-induced drain leakage (GIDL) [13].

Kết quả (Việt) 1:

Nếu chỉ có ban nhạc dây cao su ban nhạc đường hầm có thể xảy ra (như giả định trong mô phỏng của chúng tôi) dư thừa của các lỗ hổng trong các kênhlàm giảm tiềm năng kênh, tăng giảm giá hiện hành và S, như minh hoạ trong hình 1: khoảng cách càng thấp năng lượng và cáccao hơn các VDS, cao HIBL có hiệu lực. HIBL rõ nét hơn trong CNT-FETs hơn trong GNR-FETs, bởi vìdải dẫn CNTs là đôi thoái hóa và vì thế CNTs có hai lần mật độ của tiểu bang GNRsvới khoảng cách tương tự.Nếu, mặt khác, ban nhạc và ban nhạc không dản ra đường hầm hoặc Schockley đọc, hội các cơ chế có liên quan, lỗcó thể tái với điện tử tại nguồn, và thay vì HIBL, chúng tôi quan sát một rò rỉ hiện tại từ nguồncống do rò rỉ gây ra cửa cống (GIDL) [13].

Kết quả (Việt) 2:

Nếu chỉ có đàn hồi băng để băng đường hầm có thể xảy ra (như giả định trong mô phỏng của chúng tôi) thừa lỗ trong kênh
làm giảm tiềm năng kênh, tăng giảm hiện tại và S, như thể hiện trong hình. 1: thấp hơn khoảng cách năng lượng và
cao hơn các VDS, cao hơn các hiệu ứng HIBL. HIBL là rõ rệt hơn trong CNT-FET hơn trong GNR-FET, bởi vì
ban nhạc dẫn của CNT là đôi thoái hóa và do đó CNTs có hai lần mật độ của các quốc gia của GNRs
với khoảng cách tương tự.
Nếu, mặt khác, không đàn hồi ban nhạc đến -band cơ chế đường hầm hoặc Schockley-Read-Hall có liên quan, các lỗ
có thể tái hợp với các electron tại nguồn và thay vì HIBL, chúng ta quan sát một hiện rò rỉ từ nguồn để
thoát do rò rỉ cửa gây ra cống (GIDL) [13].