Figure 9.11 Process sequence for di

Figure 9.11 Process sequence for dielectric isolation bipolar device using s.lwon-on-msulatur ft,r high-voltage application, (a) Oxygen ion implantation. U>) Annealing at h.gh to
form the isolation dielectric, (c) Trench isolation formed by a diy etching process, ul B.«m emitter, and collector formation.

Kết quả (Việt) 1:

Con số 9,11 quá trình tự cho thiết bị lưỡng cực điện môi cô lập bằng cách sử dụng s.lwon trên msulatur m, r cao áp ứng dụng, cấy ion oxy (a). U >) làm cho deo tại h.gh để
tạo thành sự cô lập cách điện, (c) rãnh cô lập được hình thành bởi một quá trình tự làm khắc, ul sinh «m emitter, và hình thành nhà sưu tập.

Kết quả (Việt) 2:

Hình 9.11 Quy trình trình tự cô lập thiết bị lưỡng cực điện môi sử dụng s.lwon-on-msulatur ft, r ứng dụng điện áp cao, (a) cấy ion oxy. U>) ủ ở h.gh để
tạo thành điện môi cô lập, (c) cô lập rãnh hình thành bởi một quá trình Tự khắc, ul B. «m phát, và sự hình thành nhà sưu tập.