plane. This observation provides fo

plane. This observation provides for the electric walls at the top and the bottom. 43
Figure 3.12 Charge distribution and current density creation on the microstrip patch
Consider Figure 3.12 shown above. When the microstrip patch is provided power, a
charge distribution is seen on the upper and lower surfaces of the patch and at the bottom of the
ground plane. This charge distribution is controlled by two mechanisms-an attractive mechanism
and a repulsive mechanism as discussed by Richards [16]. The attractive mechanism is between
the opposite charges on the bottom side of the patch and the ground plane, which helps in
keeping the charge concentration intact at the bottom of the patch. The repulsive mechanism is
between the like charges on the bottom surface of the patch, which causes pushing of some
charges from the bottom, to the top of the patch. As a result of this charge movement, currents
flow at the top and bottom surface of the patch. The cavity model assumes that the height to
width ratio (i.e. height of substrate and width of the patch) is very small and as a result of this the
attractive mechanism dominates and causes most of the charge concentration and the current to
be below the patch surface. Much less current would flow on the top surface of the patch and as
the height to width ratio further decreases, the current on the top surface of the patch would be
almost equal to zero, which would not allow the creation of any tangential magnetic field
components to the patch edges. Hence, the four sidewalls could be modeled as perfectly
magnetic conducting surfaces. This implies that the magnetic fields and the electric field
distribution beneath the patch would not be disturbed. However, in practice, a finite width to
height ratio would be there and this would not make the tangential magnetic fields to be
completely zero, but they being very small, the side walls could be approximated to be perfectly
magnetic conducting [5].
Since the walls of the cavity, as well as the material within it are lossless, the cavity
would not radiate and its input impedance would be purely reactive. Hence, in order to account
for radiation and a loss mechanism, one must introduce a radiation resistance r
R and a loss
resistance L R . A lossy cavity would now represent an antenna and the loss is taken into account
by the effective loss tangent
eff

Kết quả (Việt) 1:

máy bay. Quan sát này cung cấp cho các bức tường điện ở phía trên và phía dưới. 43Con số 3.12 phí phân phối và mật độ dòng sáng tạo trên các miếng vá microstripHãy xem xét con số 3.12 Hiển thị ở trên. Khi microstrip patch được cung cấp điện, một phí phân phối được nhìn thấy trên trên và dưới bề mặt của các miếng vá và ở dưới cùng của các máy bay mặt đất. Phân phối phụ trách này do hai cơ chế an hấp dẫn cơ chế quản lý và một cơ chế đẩy là thảo luận của Richards [16]. Cơ chế hấp dẫn là giữa những chi phí đối diện phía dưới cùng của các bản vá và các máy bay mặt đất, giúp giữ tập trung phí còn nguyên vẹn ở dưới cùng của các miếng vá. Cơ chế đẩy giữa những chi phí như trên bề mặt dưới cùng của các miếng vá, mà nguyên nhân đẩy của một số chi phí từ phía dưới, đầu của các bản vá. Là kết quả của phong trào phụ trách này, dòng hải lưu dòng chảy trên bề mặt trên và dưới cùng của các miếng vá. Các khoang mô hình giả định rằng chiều cao để tỉ lệ chiều rộng (tức là chiều cao của chất nền) và chiều rộng của các miếng vá là rất nhỏ và kết quả là các cơ chế hấp dẫn chi phối và gây ra hầu hết tập trung phụ trách và hiện tại để bên dưới bề mặt của miếng vá. Ít hơn nhiều hiện tại sẽ chảy trên bề mặt hàng đầu của các miếng vá và như chiều cao với chiều rộng tỷ lệ tiếp tục giảm, hiện nay trên bề mặt hàng đầu của các miếng vá sẽ gần như bằng 0, không cho phép việc tạo ra bất kỳ tiếp tuyến từ trường Các thành phần để cạnh vá. Do đó, sidewalls bốn có thể được mô hình hóa như là một cách hoàn hảo từ bề mặt thực hiện. Điều này ngụ ý rằng từ trường và điện trường phân bố bên dưới các miếng vá sẽ không bị quấy rầy. Tuy nhiên, trong thực tế, chiều rộng hữu hạn để sẽ có tỉ lệ chiều cao và điều này sẽ không thực hiện tiếp tuyến từ trường được zero hoàn toàn, nhưng họ là rất nhỏ, các bức tường bên có thể được ước chừng là hoàn hảo từ trường tiến hành [5]. Kể từ khi các bức tường của buồng cộng hưởng, cũng như các vật liệu bên trong nó là lossless, khoang sẽ không tỏa và trở kháng đầu vào của nó sẽ là phản ứng hoàn toàn. Do đó, theo thứ tự tài khoản Đối với bức xạ và một cơ chế giảm cân, một trong những phải giới thiệu một bức xạ điện trở rR và mất điện trở L R. Một khoang lossy bây giờ sẽ đại diện cho một ăng-ten và sự mất mát đưa vào tài khoản bởi ốp giảm cân hiệu quả EFF

Kết quả (Việt) 2:

máy bay. Quan sát này cung cấp cho các bức tường điện ở phía trên và phía dưới. 43
Hình 3.12 phân phối phí và tạo ra mật độ hiện hành về các bản vá microstrip
xem xét Hình 3.12 trình bày ở trên. Khi các bản vá microstrip được cung cấp năng lượng, một
phân phối phí được nhìn thấy trên bề mặt trên và dưới của miếng vá và ở dưới cùng của
máy bay mặt đất. Phân phối phí này được điều khiển bởi hai cơ chế, cơ chế hấp dẫn
và một cơ chế đẩy như đã thảo luận bởi Richards [16]. Các cơ chế hấp dẫn là giữa
những chi phí đối diện ở phía dưới cùng của các miếng vá và máy bay mặt đất, giúp trong
việc giữ nồng phí nguyên vẹn ở dưới cùng của các bản vá. Các cơ chế đẩy là
giữa những chi phí như trên bề mặt đáy của các miếng vá, mà nguyên nhân đẩy một số
chi phí từ phía dưới, để phía trên cùng của các bản vá. Như một kết quả của phong trào phụ trách này, dòng
chảy ở bề mặt trên và dưới của các bản vá. Các mô hình khoang giả định rằng chiều cao là
tỷ lệ chiều rộng (chiều cao tức là các chất nền và chiều rộng của các bản vá) là rất nhỏ và như là một kết quả của việc này là
cơ chế hấp dẫn chiếm ưu thế và gây ra hầu hết các nồng phí và hiện tại để
được bên dưới bề mặt miếng vá . Ít hơn nhiều hiện tại sẽ chảy trên bề mặt của các miếng vá và khi
chiều cao là tỷ lệ chiều rộng giảm hơn nữa, hiện tại trên bề mặt của các miếng vá sẽ là
gần như bằng không, sẽ không cho phép tạo ra bất kỳ từ trường tiếp tuyến
thành phần các cạnh vá. Do đó, bốn hông có thể được mô hình hóa như hoàn toàn
bề mặt tiến hành từ. Điều này ngụ ý rằng từ trường và điện trường
phân phối dưới các bản vá sẽ không bị quấy rầy. Tuy nhiên, trong thực tế, có chiều rộng hữu hạn để
tỷ lệ chiều cao sẽ có mặt ở đó và điều này sẽ không làm cho từ trường tiếp tuyến là
hoàn toàn không, nhưng họ là rất nhỏ, các bức tường bên có thể được xấp xỉ để được hoàn toàn
dẫn điện từ [5].
Từ các bức tường của khoang, cũng như các vật liệu bên trong nó là lossless, khoang
sẽ không tỏa và trở kháng đầu vào của nó sẽ được hoàn toàn phản ứng. Do đó, để giải thích
cho bức xạ và cơ chế tổn thất, người ta phải đưa ra một bức xạ điện trở r
R và mất
LR kháng. Một khoang lossy bây giờ sẽ đại diện cho một ăng-ten và sự mất mát được đưa vào tài khoản
do mất tiếp tuyến hiệu quả
eff