The MOSFET (Metal Oxide Semiconduct

The MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). In an enhan- cement-type n-channel MOSFET based on silicon, n+ regions are diffused be- neath the source and drain contacts into a lightly-doped p-type substrate. The aluminium gate is separated from the p-type silicon by a thin oxide layer. In stand-alone devices, the source can be connected directly to the substrate, but not so when these devices are combined into a multi-transistor integrated cir- cuit.

Kết quả (Việt) 1:

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field có hiệu lực Transistor). Trong một enhan xi măng loại MOSFET kênh n dựa trên silicon, n + vùng được khuếch tán - neath nguồn và cống liên lạc vào một bề mặt doped nhẹ kiểu p. Cửa nhôm được tách ra từ kiểu p silicon bởi một lớp ôxít mỏng. Thiết bị độc lập, các nguồn có thể được kết nối trực tiếp vào bề mặt, nhưng không phải như vậy khi các thiết bị này được kết hợp thành một bóng bán dẫn đa tích hợp cir-cuit.

Kết quả (Việt) 2:

Các MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Dòng Effect Transistor). Trong một xi-type n-kênh MOSFET enhan- dựa trên silicon, n + khu vực được khuếch tán neath được- nguồn và địa chỉ liên lạc cống thành một loại p chất nền nhẹ nhàng pha tạp. Cổng nhôm được tách ra từ p-type silicon bởi một lớp oxit mỏng. Trong các thiết bị độc lập, các nguồn có thể được kết nối trực tiếp với đế, nhưng không vì thế khi các thiết bị được kết hợp thành một CUIT huống đa transistor tích hợp.