a doped layer of semi-conducting ma

a doped layer of semi-
conducting material grown on the surface of
a prepared semiconductor substrate. Vari-
ous methods are utilized, resulting in a very
thinanddimensionallywellcontrolledactive
layer for fabricating semiconductor devices.
“Epi” parts generally are more uniform and
perform better than ion implanted devices,
but are also more expensive to fabricate

Kết quả (Việt) 1:

một lớp sườn của bán-tiến hành trồng trên bề mặt của vật liệumột bề mặt bán dẫn chuẩn bị sẵn sàng. Vari-Anh phương pháp được sử dụng, kết quả là một rấtthinanddimensionallywellcontrolledactivelớp cho chế tạo thiết bị bán dẫn."Epi" phần thường thống nhất hơn vàthực hiện tốt hơn so với các thiết bị ion cấy ghép,nhưng có cũng đắt tiền hơn để đặt ra

Kết quả (Việt) 2:

một lớp pha tạp của bán
vật liệu dẫn điện phát triển trên bề mặt của
một chất bán dẫn chuẩn bị. Các biến
phương pháp độc hại được sử dụng, kết quả là rất
thinanddimensionallywellcontrolledactive
lớp để chế tạo các thiết bị bán dẫn.
"Epi" bộ phận nói chung là đồng đều hơn và
thực hiện tốt hơn so với các thiết bị cấy ion,
nhưng cũng đắt hơn để chế tạo