The diode is made by plating lithiu

The diode is made by plating lithium onto one end of the silicon. The lithium is
drifted into, that is diffused into, the silicon crystal by an applied voltage. The high concentration
of Li at the one end creates an n-type region. In the diffusion process, all electron
acceptors are neutralized in the bulk of the crystal, which becomes highly
nonconducting. This is the “intrinsic” material. The lithium drifting is stopped before
reaching the other end of the silicon crystal, leaving a region of pure Si (p-type), as
shown in Fig. 8.30. Submicron gold layers are applied at each end as electrical contacts.

Kết quả (Việt) 1:

Các diode được thực hiện bởi mạ lithium vào một đầu của silic. Lithium làtrôi dạt vào, mà khuếch tán vào, các silic tinh thể bởi một điện áp ứng dụng. Nồng độ caocủa Li ở một đầu tạo ra một vùng n-loại. Trong quá trình phổ biến, tất cả các điện tửchất nhận khác ở được vô hiệu hóa với số lượng lớn của tinh thể sẽ trở thành caokhông. Đây là các tài liệu "nội tại". Lithium trôi dừng lại trước khiđến đầu kia của silic tinh thể, để lại một khu vực của tinh khiết Si (p-loại), nhưHiển thị trong hình 8,30. Submicron vàng lớp được áp dụng tại mỗi đầu như điện.

Kết quả (Việt) 2:

Các diode được làm bằng mạ lithium vào một đầu của silicon. Các lithium được
trôi dạt vào, được khuếch tán vào, các tinh thể silicon bằng một điện áp. Nồng độ cao
của Li ở một đầu tạo ra một khu vực n-type. Trong quá trình khuếch tán, tất cả các electron
chất nhận được vô hiệu hóa ở một khối tinh thể, mà trở nên rất
không dẫn điện. Đây là tài liệu "nội tại". Trôi lithium được dừng lại trước khi
đến đầu kia của các tinh thể silicon, để lại một vùng tinh khiết Si (p-type), như
thể hiện trong hình. 8.30. Lớp vàng submicron được áp dụng tại mỗi đầu như danh bạ điện.