where kB and h are the Boltzmann an

where kB and h are the Boltzmann and Planck constants and EF is the Fermi energy. The self-consistent solutions of coupled Schrödinger and Poisson equations give the subband energies E1 and E2 as a function of In composition. On the other hand, the density of charge depleted in AlInN/AlN/GaN can be obtained using the total depletion assumption according to:

Kết quả (Việt) 1:

nơi kB và h là hằng số Boltzmann và Planck và EF là năng lượng Fermi. Kết hợp các giải pháp phù hợp tự của Schrödinger và phương trình Poisson cung cấp cho các nguồn năng lượng subband, E1 và E2 là một hàm trong thành phần. Mặt khác, mật độ của phí hết ở AlN-AlInN-GaN có thể thu được bằng cách sử dụng giả định tất cả sự suy giảm theo:

Kết quả (Việt) 2:

nơi kB, h là hằng số Boltzmann và Planck và EF là năng lượng Fermi. Các giải pháp tự phù hợp của phương trình Schrödinger và Poisson kết cung cấp cho các nguồn năng lượng băng con E1 và E2 là một chức năng của Trong thành phần. Mặt khác, mật độ phí cạn kiệt trong AlInN / AlN / GaN có thể thu được bằng cách sử dụng tổng số giả định sự suy giảm theo: