Below is a list of the material to

Below is a list of the material to be turned in for this assignment:

1. REQUIRED: Completed cover page provided as the last page of this assignment.

2. A single page containing the plots of the diode V-I characteristics (showing the ‘Mark’ed cursor designated value of the diode current at –100 mV) and the dynamic resistance of the diode. This page which represents your results from Parts 1, 2, and 3 is to be produced directly from the probe display (i.e., not cut and pasted to another application).

3. A plot showing your determination of the ideality factor (displaying the ‘Mark’ed cursor designated value of the ideality factor). This represents your results from Parts 4 and 5.

4. The schematic of the attenuator circuit you are using to perform the transient analysis in Part 12 (including all component values). Enable the bias point current display on the schematic to show that the bias current is approximately 2 µA.
If your are using the NanoHub, hand draw the schematic – label the nodes with the node numbers you have assigned and include a listing of your source code.

5. A plot of the transient response of the completed attenuator (similar to that shown in Part 15).

6. A plot of the attenuator performance as a function of frequency (similar to that shown in Part 16).

7. REQUIRED: The output file produced when performing the transient analysis of Part 12. (You may remove page breaks, blank lines, and reduce font size to no smaller than 8 points if you wish to conserve paper; however, do not alter any text in the output file)




Although you are encouraged to work with your classmates, each student is required to create their own simulation and produce their own plots and other results from their own unique simulations. Potential sanctions are provided on the course website.

Kết quả (Việt) 2:

Dưới đây là danh sách các vật liệu được chuyển cho nhiệm vụ này:

1. YÊU CẦU: Hoàn thành trang bìa được cung cấp như là trang cuối cùng của nhiệm vụ này.

2. Một trang duy nhất chứa các âm mưu của diode VI đặc điểm (hiển thị các 'Mark'ed con trỏ định giá trị của các diode hiện tại ở mức -100 mV) và kháng cự động của diode. Trang này đại diện cho kết quả của bạn từ phần 1, 2, và 3 là được sản xuất trực tiếp từ màn hình đầu dò (tức là, không phải cắt và dán vào một ứng dụng khác).

3. Một cốt truyện cho thấy quyết tâm của bạn trong những yếu tố lý tưởng (hiển thị 'Mark'ed con trỏ định giá trị của các yếu tố lý tưởng). Điều này thể hiện kết quả của bạn từ phần 4 và 5.

4. Các sơ đồ của mạch suy hao bạn đang sử dụng để thực hiện các phân tích thoáng qua trong phần 12 (bao gồm tất cả các thành phần giá trị). Bật hiển thị hiện tại điểm thiên vị trên sơ đồ cho thấy sự thiên vị hiện nay là khoảng 2 μA.
Nếu bạn đang sử dụng NanoHub, tay vẽ sơ đồ - nhãn các nút với số nút bạn đã được giao và bao gồm một danh sách các mã nguồn của bạn .

5. Một âm mưu của các phản ứng thoáng qua của bộ suy hao hoàn thành (tương tự như những gì thể hiện trong phần 15).

6. Một cốt truyện của hiệu suất suy hao như một hàm của tần số (tương tự như những gì thể hiện trong phần 16).

7. YÊU CẦU: Các tập tin đầu ra sản xuất khi thực hiện các phân tích thoáng Phần 12. (Bạn có thể loại bỏ ngắt trang, dòng trống, và giảm kích cỡ phông chữ để không nhỏ hơn 8 điểm nếu bạn muốn tiết kiệm giấy, tuy nhiên, không làm thay đổi bất kỳ văn bản trong các tập tin đầu ra)




Mặc dù bạn được khuyến khích để làm việc với các bạn cùng lớp, mỗi học sinh được yêu cầu để tạo ra mô phỏng của riêng mình và tạo ra mảnh đất riêng của họ và kết quả khác từ mô phỏng độc đáo của riêng mình. Biện pháp trừng phạt tiềm năng được cung cấp trên trang web của khóa học.