Figure 7.21 Coulomb staircase from

Figure 7.21
Coulomb staircase from single-electron tunneling involving quantum dots. Each plateau in the current is the result of a coulomb blockade.
defined as C = I/V, was shown to increase due to electron tunneling compared to the case in which the nanoparticles were not connected by the organic molecules.
The phenomenon of electron tunneling can also be used to develop field-effect transistors (FET) made from quantum dots. In this case, two electrodes, a source and a drain, are coupled to a quantum dot and connected through a circuit (see Figure 7.20). In addition, a gate voltage is provided to the quantum dot to control its resistance and ultimately the current I passing between the lead and the drain. Due to the discrete nature of the electrical charge, electrons tunnel from the source to the quantum dot and then to the drain, one at the time. Therefore the junction, which acts as a capacitor, suffers a raise in voltage V = e/C (e is the elementary charge) when a single electron is added. If the change in voltage is large enough, another electron can be prevented from tunneling. This effect is called a Coulomb blockade. As a result, electrons

Kết quả (Việt) 1:

Con số 7.21 Cầu thang Coulomb từ đĩa đơn điện tử đường hầm lượng tử liên quan đến dấu chấm. Mỗi cao nguyên ở hiện nay là kết quả của một cuộc phong tỏa coulomb.định nghĩa là C = I / V, được hiển thị để tăng do điện tử đường hầm so với các trường hợp mà trong đó các hạt nano đã không được kết nối bởi các phân tử hữu cơ. Hiện tượng của điện tử đường hầm cũng có thể được sử dụng để phát triển các field - effect transistor (FET) được thực hiện từ chấm lượng tử. Trong trường hợp này, hai điện cực, một nguồn và một cống, cùng với một dấu chấm lượng tử và kết nối thông qua một mạch (xem hình 7,20). Ngoài ra, một điện áp gate được cung cấp để chấm lượng tử để kiểm soát sức đề kháng của nó và cuối cùng là hiện tại, tôi đi qua giữa đầu và cống. Do tính chất rời rạc của điện tích, điện tử hầm từ nguồn để chấm lượng tử và sau đó để ráo nước, một thời. Do đó, giao lộ đóng vai trò như một tụ điện, bị một nâng cao điện áp V = e/C (e là phí elementary) khi một điện tử được thêm vào. Nếu sự thay đổi trong điện áp lớn đủ, một electron có thể được ngăn chặn từ đường hầm. Hiệu ứng này được gọi là một cuộc phong tỏa Coulomb. Kết quả là, điện tử

Kết quả (Việt) 2:

Hình 7.21
Coulomb cầu thang từ đường hầm đơn điện tử liên quan đến các chấm lượng tử. Mỗi cao nguyên trong hiện tại là kết quả của một cuộc phong tỏa culông.
Định nghĩa là C = I / V, đã được hiển thị để tăng do đường hầm electron so với trường hợp trong đó các hạt nano không được kết nối bởi các phân tử hữu cơ.
Hiện tượng của đường hầm electron cũng có thể được sử dụng để phát triển các transistor hiệu ứng trường (FET) được làm từ các chấm lượng tử. Trong trường hợp này, hai điện cực, một nguồn và một cống, gắn với một chấm lượng tử và kết nối thông qua một mạch (xem Hình 7.20). Ngoài ra, một điện áp cổng được cung cấp cho các chấm lượng tử để kiểm soát kháng cự và cuối cùng là tôi hiện tại đi qua giữa đầu và các cống. Do tính chất rời rạc của các điện tích, điện tử đường hầm từ nguồn đến các chấm lượng tử và sau đó để ráo nước, một tại thời điểm đó. Do đó các ngã ba, hoạt động như một tụ điện, bị một tăng điện áp V = e / C (e là điện tích cơ bản) khi một điện tử duy nhất được thêm vào. Nếu sự thay đổi trong điện áp đủ lớn, điện tử khác có thể được ngăn chặn từ đường hầm. Hiệu ứng này được gọi là một cuộc phong tỏa Coulomb. Kết quả là, các electron