Since the well implant dopant (acce

Since the well implant dopant (acceptor or donor) is the same type as the channel implant dopant, the additional doping increases the absolute value of the threshold voltage of both NMOS and PMOS devices.

Kết quả (Việt) 1:

Kể từ khi cấy ghép cũng rộng (tìm hoặc nhà tài trợ) là cùng một loại như rộng cấy ghép kênh, doping bổ sung làm tăng giá trị tuyệt đối của điện áp ngưỡng NMOS và PMOS thiết bị.

Kết quả (Việt) 2:

Kể từ khi dopant cũng implant (chấp nhận hoặc tài trợ) là loại giống như dopant kênh cấy ghép, các doping thêm sẽ làm tăng giá trị tuyệt đối của điện áp ngưỡng của cả hai NMOS và các thiết bị PMOS.