The source potential or the drain p

The source potential or the drain potential of PMOS is above the N-well potential

There are several possibilities for the above conditions to happen. Examples are

• Inductive ground path causes the ground in the substrate to bounce

• Resistive power and ground path from the power pins to the substrate and the N-well

• Fast switching signal with significant overshoot

The drifting of the minority carriers in the substrate and the N-well create a potential difference that can affect the performance of the circuit, or trigger a latch-up.

Kết quả (Việt) 1:

Tiềm năng nguồn tiềm năng thoát nước của PMOS là trên tiềm năng N-Vâng Có rất nhiều khả năng cho các điều kiện nêu trên xảy ra. Ví dụ là • Quy nạp đất đường gây ra mặt đất trong chất nền để trả lại • Resistive quyền lực và con đường đất từ các chân điện để bề mặt và N-Vâng • Nhanh chóng chuyển đổi tín hiệu đáng kể vượt qua Trôi tàu dân tộc thiểu số ở các bề mặt và N-cũng tạo ra một sự khác biệt tiềm năng mà có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của các mạch, hoặc kích hoạt các chốt mặc.

Kết quả (Việt) 2:

Các nguồn tiềm năng hay khả năng cống của PMOS là ở trên N-tốt tiềm năng

Có một vài khả năng cho các điều kiện trên xảy ra. Ví dụ như

• con đường đất cảm ứng gây ra mặt đất trong các chất nền để trả lại

• điện có trở kháng cao và con đường đất từ các chân điện lên bề mặt và N-tốt

tín hiệu • Nhanh chóng chuyển đổi với vượt đáng kể

Các trôi của các tàu sân bay thiểu số trong các chất nền và N-cũng tạo ra một sự khác biệt tiềm năng mà có thể ảnh hưởng đến hiệu suất của mạch điện, hoặc kích hoạt một chốt-up.