In the reversed biased mode, the PI

In the reversed biased mode, the PIN detector is biased by an external direct current power supply ranging from a few volts to as high as 50 volts. When biased,the device behaves as a leaky diode whose leakage current is dependent on the intensity of the light striking the device's active area. It is important to note that the intensity of a light source is defined in
terms of power, not energy. When detecting infrared light at its 900 nanometer peak response point, a typical PIN diode will leak about one milliamp of current for every two milliwatts of light power striking it (50% efficiency)

Kết quả (Việt) 1:

Ở chế độ thiên vị đảo ngược, các máy dò PIN thiên vị bởi một nguồn cung cấp năng lượng bên ngoài điện một chiều khác nhau, từ một vài volt đến cao như Volt 50. Khi thiên vị, thiết bị hoạt động như một diode bị rò rỉ rò rỉ mà hiện tại là phụ thuộc vào cường độ của ánh sáng nổi bật khu vực hoạt động của thiết bị. Nó là quan trọng cần lưu ý rằng cường độ của một nguồn ánh sáng được định nghĩa trongđiều khoản của quyền lực, không năng lượng. Khi phát hiện ánh sáng hồng ngoại tại đỉnh 900 nanomet phản ứng cao điểm, một PIN điển hình diode sẽ rò rỉ khoảng một milliamp của hiện tại cho mỗi milliwatts hai ánh sáng quyền lực tấn công nó (50% hiệu quả)

Kết quả (Việt) 2:

Trong chế độ thiên vị đảo ngược, các máy dò PIN được thiên vị bởi một trực tiếp cung cấp điện hiện bên ngoài khác nhau, từ một vài volt để tăng cao như 50 volt. Khi thiên vị, thiết bị cư xử như một diode bị rò rỉ có dòng rò phụ thuộc vào cường độ của ánh sáng nổi bật khu vực hoạt động của thiết bị. Điều quan trọng là phải lưu ý rằng cường độ của một nguồn ánh sáng được xác định trong
các điều khoản của quyền lực, không năng lượng. Khi phát hiện ánh sáng hồng ngoại ở 900 nanomet điểm đáp ứng đỉnh cao của nó, một diode PIN điển hình sẽ bị rò rỉ về một milliamp của hiện tại cho mỗi hai milliwatt điện ánh sáng nổi bật đó (50% hiệu quả)