ID2 >ID1 so VCS2(x) >VCS1(x) and th

ID2 >ID1 so VCS2(x) >VCS1(x) and thus channel
narrower at an given point.
• Total channel resistance from drain to source
increasing and curve of ID vs VDS for a fixed VGS
flattens out.
• Apparent dilemma of
channel disappearing at
drain end for large ID
avoided.
1. Large electric field at drain
end oriented parallel to
drain current flow. Arises
from large current flow in
channel constriction at
drain.
2. This electric field takes
over maintenance of
minimum inversion layer
thickness at drain end.
• Larger gate- source bias
VGG postpones flattening
of ID vs VDS until larger
values of drain current are
reached

Kết quả (Việt) 1:

ID2 > ID1 rất VCS2(x) > VCS1(x) và do đó là kênhhẹp hơn tại một thời điểm nhất định.• Kênh tất cả sức đề kháng từ cống để nguồngia tăng và các đường cong của ID vs VDS cho VGS cố địnhflattens.• Tiến thoái lưỡng nan rõ ràng củaKênh biến mất tạithoát nước cuối cùng cho lớn IDtránh được.1. lớn điện trường tại cốngcuối cùng hướng song song vớicống hiện tại dòng chảy. Phát sinhtừ dòng hiện tại lớn trongKênh co dãn tạiđể ráo nước.2. điện trường diễntrong bảo dưỡnglớp tối thiểu đảo ngượcbề dày cống cuối.• Lớn hơn cổng nguồn thiên vịVGG postpones dùng dẹtID vs VDS cho đến khi lớn hơngiá trị của các cống hiện tạiđạt

Kết quả (Việt) 2:

ID2> ID1 nên VCS2 (x)> VCS1 (x) và do đó kênh
hẹp tại một điểm nhất định.
• Tổng số kháng kênh từ cống để nguồn
tăng và đường cong của ID vs VDS cho VGS cố định
flattens ra.
• tiến thoái lưỡng nan biểu kiến của
kênh biến mất ở
cuối cống cho ID lớn
tránh được.
1. Điện trường lớn tại cống
định hướng thúc song song để
ráo nước dòng chảy hiện tại. Phát sinh
từ dòng điện lớn ở
thắt kênh tại
cống.
2. Điện trường này có
hơn duy trì
lớp đảo ngược tối thiểu
độ dày ở cuối cống.
• Larger gate- nguồn thiên vị
VGG hoãn phẳng
của ID vs VDS cho đến khi lớn hơn
giá trị của cống hiện đang
đạt