When the control input is a logic z

When the control input is a logic zero (negative power supply potential), the gate of the n-channel MOSFET is also at a negative supply voltage potential. The gate terminal of the p-channel MOSFET is caused by the inverter, to the positive supply voltage potential. Regardless of on which switching terminal of the transmission gate (A or B) a voltage is applied (within the permissible range), the gate-source voltage of the n-channel MOSFETs is always negative, and the p-channel MOSFETs is always positive. Accordingly, neither of the two transistors will conduct and the transmission gate turns off.

When the control input is a logic one, so the gate terminal of the n-channel MOSFETs is located at a positive supply voltage potential. By the inverter, the gate terminal of the p-channel MOSFETs is now at a negative supply voltage potential. As the substrate terminal of the transistors is not connected to the source terminal, the drain and source terminals are almost equal and the transistors start at a voltage difference between the gate terminal and one of these conducts.

One of the switching terminals of the transmission gate is raised to a voltage near the negative supply voltage, a positive gate-source voltage (gate-to-drain voltage) will occur at the N-channel MOSFET, and the transistor begins to conduct, and the transmission gate conducts. The voltage at one of the switching terminals of the transmission gate is now raised continuously up to the positive supply voltage potential, so the gate-source voltage is reduced (gate-drain voltage) on the n-channel MOSFET, and this begins to turn off. At the same time, the p-channel MOSFET has a negative gate-source voltage (gate-to-drain voltage) builds up, whereby this transistor starts to conduct and the transmission gate switches.

Thereby it is achieved that the transmission gate passes over the entire voltage range. The transition resistance of the transmission gate varies depending upon the voltage to be switched, and corresponds to a superposition of the resistance curves of the two transistors.

Kết quả (Việt) 1:

Khi điều khiển đầu vào là một logic 0 (tiềm năng cung cấp năng lượng tiêu cực), cổng của MOSFET kênh n cũng là lúc một điện áp âm cung cấp tiềm năng. Nhà ga gate của MOSFET kênh p gây ra bởi biến tần, để tích cực cung cấp điện áp tiềm năng. Bất kể trên mà nhà ga chuyển cổng truyền (A hoặc B) một điện áp được áp dụng (trong phạm vi cho phép), cổng nguồn điện áp của n-kênh MOSFETs luôn luôn là tiêu cực, và p-kênh MOSFETs luôn luôn là tích cực. Theo đó, cả hai transistor sẽ tiến hành và cổng truyền tắt.Khi đầu vào kiểm soát là một logic một, vì vậy nhà ga gate MOSFETs n-kênh nằm ở một điện áp cung cấp tích cực tiềm năng. Bởi biến tần, nhà ga gate p-kênh MOSFETs bây giờ là lúc một điện áp âm cung cấp tiềm năng. Như bề mặt thiết bị đầu cuối của các bóng bán dẫn không được kết nối với nguồn thiết bị đầu cuối, cống và nguồn thiết bị đầu cuối là gần như bằng nhau và các bóng bán dẫn bắt đầu tại một sự khác biệt điện áp giữa cửa nhà ga và một trong những tiến hành.Một trong các thiết bị đầu cuối chuyển cổng truyền tải được nâng lên đến một điện áp gần điện áp cung cấp tiêu cực, tích cực cổng nguồn điện áp (cổng để cống áp) sẽ diễn ra tại MOSFET kênh N, transistor bắt đầu tiến hành, và tiến hành các cổng truyền tải. Hiệu điện thế tại một trong các thiết bị đầu cuối chuyển cổng truyền bây giờ lớn lên liên tục lên đến việc cung cấp tích cực tiềm năng, do đó, điện áp cổng nguồn điện áp giảm (gate-cống áp) trên MOSFET kênh n, và điều này bắt đầu tắt đi. Cùng lúc đó, MOSFET kênh p có một tiêu cực cổng nguồn điện áp (cổng để cống áp) xây dựng, nhờ đó mà transistor này bắt đầu tiến hành và thiết bị chuyển mạch cổng truyền tải.Do đó nó đạt được rằng cổng truyền đi trên phạm vi toàn bộ điện áp. Cuộc kháng chiến chuyển tiếp cổng truyền tải khác nhau tùy thuộc vào điện áp để được bật, và tương ứng với một chồng chất của các đường cong sự kháng cự của hai transitor.

Kết quả (Việt) 2:

Khi sự kiểm soát đầu vào là một logic không (cung cấp điện năng tiêu cực), các cửa khẩu của MOSFET kênh n cũng là một tiềm năng cung cấp điện áp tiêu cực. Các thiết bị đầu cuối cửa của MOSFET p-kênh được gây ra bởi biến tần, với tiềm năng cung cấp điện áp tích cực. Bất kể trên mà chuyển đổi thiết bị đầu cuối của cổng truyền (A hoặc B) một điện áp được áp dụng (trong phạm vi cho phép), cổng-nguồn điện áp của MOSFET kênh n luôn là tiêu cực, và MOSFETs p-kênh luôn luôn là tích cực . Theo đó, không phải của hai bóng bán dẫn sẽ tiến hành và các cổng truyền tắt.

Khi sự kiểm soát đầu vào là một logic một, vì vậy các thiết bị đầu cuối cửa của MOSFET kênh n được đặt tại một tiềm năng cung cấp điện áp tích cực. Bằng cách biến tần, thiết bị đầu cuối cửa của MOSFETs p-kênh hiện tại là một tiềm năng cung cấp điện áp tiêu cực. Là thiết bị đầu cuối chất nền của các bóng bán dẫn không được kết nối với các thiết bị đầu cuối nguồn, các thiết bị đầu cuối cống và nguồn gần như bằng nhau và các bóng bán dẫn bắt đầu từ một sự khác biệt điện áp giữa các thiết bị đầu cuối cửa khẩu và một trong những hành vi mình.

Một trong những thiết bị đầu cuối chuyển mạch của cổng truyền được nâng lên một điện áp gần nguồn điện áp tiêu cực, một điện áp cổng-nguồn dương (cổng đến thoát điện áp) sẽ xảy ra tại các MOSFET N-kênh, và các bóng bán dẫn bắt đầu tiến hành, và các cổng truyền tiến hành. Điện áp tại một trong những thiết bị đầu cuối chuyển đổi của các cổng truyền đang tăng liên tục lên đến tiềm năng cung cấp điện áp tích cực, do cổng-nguồn điện áp giảm (điện áp cổng-drain) trên các MOSFET kênh n, và điều này bắt đầu quay tắt. Đồng thời, các MOSFET p-kênh có một điện áp cổng-nguồn âm (cổng đến thoát điện áp) được xây dựng lên, theo đó transistor này bắt đầu tiến hành và thiết bị chuyển mạch cổng truyền.

Qua đó nó đạt được là cổng truyền đi qua toàn bộ phạm vi điện áp. Cuộc kháng chiến chuyển tiếp của cổng truyền đổi tùy thuộc vào điện áp sẽ được chuyển sang, và tương ứng với một sự chồng chất của các đường cong điện trở của hai bóng bán dẫn.