The SKY77340 Power Amplifier Module

The SKY77340 Power Amplifier Module (PAM) is designed in a compact form factor for quad-band
cellular handsets comprising GSM850/900, DCS1800, PCS1900, supporting GMSK and linear EDGE
modulation. Class 12 General Packet Radio Service (GPRS) multi-slot operation is also supported.
The module consists of a GSM850/900 PA block and a DCS1800/PCS1900 PA block, impedancematching circuitry for 50 Ω input and output impedances, and a Multi-function Power Amplifier
Control (MFC) block. A custom CMOS integrated circuit provides the internal MFC function and
interface circuitry.
Two separate Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) PA blocks are fabricated onto InGaP die; one
supports the GSM850/900 bands, the other supports the DCS1800 and PCS1900 bands. Both PA
blocks share common power supply pins to distribute current. The InGaP die, the silicon die, and the
passive components are mounted on a multi-layer laminate substrate. The assembly is encapsulated
with plastic overmold.
RF input and output ports are internally matched to 50 Ω to reduce the number of external
components. Extremely low leakage current (2.5 µA, typical) maximizes handset standby time. Band
select (BS) circuitry selects GSM transmit frequency band (logic 0) and DCS/PCS transmit frequency
band (logic 1). MODE circuitry selects GMSK modulation (logic 0) or EDGE modulation (logic 1). VRAMP
controls the output power for GMSK modulation and provides bias optimization for EDGE modulation
depending on the state of MODE control.
The integrated multi-function control (MFC) provides envelope amplitude control in GMSK mode,
reducing sensitivity to input drive, temperature, power supply, and process variation. In EDGE mode,
the MFC configures the PA for fixed gain, and provides the ability to optimize the PA bias operation at
different power levels. This circuitry regulates PA bias conditions, reducing sensitivity to temperature,
power supply, and process variation. The Enable input signal (pin 8) provides a standby state to
minimize battery drain.

Kết quả (Việt) 1:

SKY77340 Power Amplifier Module (PAM) được thiết kế trong một yếu tố hình thức nhỏ gọn cho quad-bandthiết bị cầm tay di động bao gồm GSM850/900, DCS1800, PCS1900, hỗ trợ GMSK và cạnh tuyến tínhđiều chế. Hoạt động khe đa lớp 12 chung Packet Radio Service (GPRS) cũng được hỗ trợ.Các mô-đun bao gồm một khối GSM850/900 PA và một khối PA DCS1800/PCS1900, impedancematching mạch cho 50 Ω đầu vào và đầu ra impedances, và một khuếch đại điện đa năngKhối điều khiển (MFC). Mạch tích hợp CMOS tùy chỉnh cung cấp chức năng MFC nội bộ vàgiao diện mạch.Hai khối Heterojunction lưỡng cực bóng bán dẫn (HBT) PA riêng biệt được chế tạo vào InGaP chết; một trong nhữnghỗ trợ các ban nhạc GSM850/900, khác hỗ trợ DCS1800 và PCS1900 ban nhạc. Cả hai PAkhối chia sẻ phổ biến mã pin cung cấp sức mạnh để phân phối hiện tại. InGaP die, die silic, và cácphần tử thụ động được đặt trên một bề mặt gỗ nhiều lớp. Hội đồng được đóng góivới nhựa overmold.RF đầu vào và đầu ra cổng nội bộ được đối sánh với 50 Ω để giảm số lượng bên ngoàiCác thành phần. Hiện tại rò rỉ rất thấp (2,5 µA, điển hình) tối đa hóa thời gian chờ của thiết bị cầm tay. Ban nhạcchọn (BS) mạch chọn GSM truyền băng tần (logic 0) và DCS/máy tính truyền tần sốBan nhạc (logic 1). Chế độ mạch chọn GMSK điều chế (logic 0) hoặc cạnh điều chế (logic 1). VRAMPkiểm soát quyền lực đầu ra cho GMSK điều chế và cung cấp tối ưu hóa thiên vị cho điều chế cạnhtùy thuộc vào nhà nước của chế độ kiểm soát.Điều khiển đa chức năng tích hợp (MFC) cung cấp phong bì biên độ điều khiển trong chế độ GMSK,giảm độ nhạy cảm với đầu vào drive, nhiệt độ, cung cấp năng lượng, và xử lý các biến thể. Trong chế độ cạnh,MFC cấu hình PA để đạt được cố định, và cung cấp khả năng tối ưu hóa chiến dịch thiên vị PA tạicấp điện khác nhau. Mạch này điều chỉnh điều kiện thiên vị PA, giảm độ nhạy cảm với nhiệt độ,nguồn cung cấp, và xử lý các biến thể. Tín hiệu đầu vào cho phép (pin 8) cung cấp một trạng thái chờ đểgiảm thiểu cống pin.

Kết quả (Việt) 2:

Các SKY77340 Power Amplifier Module (PAM) được thiết kế trong một yếu tố hình thức nhỏ gọn cho quad-band
điện thoại di động bao gồm GSM850 / 900, DCS1800, PCS1900, hỗ trợ GMSK và EDGE tuyến tính
điều chế. Class 12 General Packet Radio Service (GPRS) multi-slot hoạt động cũng được hỗ trợ.
Các mô-đun bao gồm một GSM850 / 900 PA khối và khối DCS1800 / PCS1900 PA, impedancematching mạch cho 50 Ω đầu vào và đầu ra trở kháng, và đa chức năng Power Amplifier
Control (MFC) chặn. Một mạch CMOS tùy chỉnh tích hợp cung cấp các chức năng nội MFC và
giao diện mạch.
Hai riêng biệt dị Bipolar Transistor (HBT) khối PA được chế tạo vào InGaP chết; một
hỗ trợ GSM850 / 900 ban nhạc, người kia hỗ trợ các ban nhạc DCS1800 và PCS1900. Cả hai PA
khối chia sẻ chân cung cấp điện thông thường để phân phối hiện tại. Các InGaP chết, chết silicon, và các
thành phần thụ động được gắn trên một layer-đa laminate chất nền. Việc lắp ráp được đóng gói
với overmold nhựa.
Cổng vào RF và đầu ra trong nội bộ phù hợp với 50 Ω để giảm số lượng các bên ngoài
các thành phần. Hiện nay rất thấp rò rỉ (2,5 μA, điển hình) tối đa chiếc điện thoại thời gian chờ. Ban nhạc
chọn (BS) mạch chọn băng tần GSM truyền tần số (logic 0) và DCS / PCS truyền tần số
băng tần (logic 1). Mạch THỨC chọn điều chế GMSK (logic 0) hoặc điều chế EDGE (logic 1). VRAMP
điều khiển công suất đầu ra cho GMSK điều chế và cung cấp tối ưu hóa thiên vị cho điều chế EDGE
tùy thuộc vào tình trạng kiểm soát MODE.
Việc tích hợp điều khiển đa chức năng (MFC) cung cấp điều khiển biên độ phong bì trong chế độ GMSK,
giảm nhạy cảm với ổ đĩa đầu vào, nhiệt độ, cung cấp điện , và biến đổi quá trình. Trong chế độ EDGE,
MFC cấu hình PA cho được cố định, và cung cấp khả năng để tối ưu hóa các hoạt động thiên vị PA ở
mức công suất khác nhau. Mạch này quy định về điều kiện thiên vị PA, giảm độ nhạy cảm với nhiệt độ,
cung cấp điện, và biến đổi quá trình. Kích hoạt tính năng đầu vào tín hiệu (pin 8) cung cấp một trạng thái dự phòng để
giảm thiểu lượng pin.