The inset in Fig. 3 is a schematic

The inset in Fig. 3 is a schematic of the device structure, consisting of dispersed TMV–Pt nanowires in a PVA matrix sandwiched between two Al electrodes. The nonlinear
current (I)–voltage (V) characteristic (Fig. 3) arises from the bistable electrical behaviour of the TMV–Pt device. In the first scan, the current gradually increases as the voltage is increased to 3 V. An abrupt increase in the current by more than three orders of magnitude (from 1028 A to 10 25 A) occurs once a turn-on bias (3.1 V) is reached. A second scan is performed on the device to ensure the stability of the high conductance state (1025 A). We normally term the low conductance state (1029 A) and the high conductance state (1026 A) as the OFF and ON states, respectively. The OFF and ON states can also be denoted by ‘0’ and ‘1’ in practical data storage terms. The ON state can be switched back to the OFF state by applying a third backward scan. From 0 to 25 V, the current drops from 10–5A to 10 27 A at a turn-off bias of 22.4 V. The device is stable in the OFF state until a forward bias larger than 3 V is applied, which turns it to the ON state once again. Conductance switching is not observed in control devices using only TMV or only PVA, fabricated with the same concentration and thickness. The function of PVA is to provide a polymer matrix for TMV–Pt and to prevent electrical shortages. Devices containing only Pt NPs were also fabricated to test for bistability behaviour. The Pt NPs were synthesized by the same method as used for TMV–Pt, and were dispersed in the PVA matrix with similar concentrations. The nanostructure image of the Pt NPs shows a particle size between 6 and 18 nm (see Supplementary Information). The I–V characteristic shows a high conductance without switching effect, although a slight hysterisis behaviour is observed. This device shows no erasable capability, which is necessary for digital memories, and the high conductance cannot return to the low conductance state. It is therefore obvious that the hybrid bio-inorganic TMV–Pt nanostructure is required to provide genuine rewritable

Kết quả (Việt) 2:

Hình nhỏ trong hình. 3 là một sơ đồ cấu trúc thiết bị, bao gồm các dây nano phân tán TMV-Pt trong một ma trận PVA kẹp giữa hai điện cực Al. Các phi tuyến
hiện nay (I) -voltage (V) đặc trưng (Hình. 3) phát sinh từ các hành vi điện ổn định kép của thiết bị TMV-Pt. Trong fi đầu tiên quét, hiện tại dần dần tăng lên khi điện áp tăng lên đến V. Sự gia tăng đột ngột 3 trong hiện tại hơn ba đơn đặt hàng của các cường độ (từ 1028 A 10 25 A) xảy ra một lần trong một turn-on thiên vị (3,1 V ) là đạt. Một lần quét thứ hai được thực hiện trên thiết bị để đảm bảo sự ổn định của nhà nước dẫn cao (1025 A). Chúng tôi thường goåi nhà nước thấp dẫn (1029 A) và trạng thái dẫn điện cao (1026 A) là OFF và ON bang, tương ứng. Các OFF và ON bang cũng có thể được biểu thị bằng '0' và '1' về lưu trữ dữ liệu thực tế. Các trạng thái ON có thể được chuyển trở lại trạng thái OFF bằng cách áp dụng một máy quét ngược thứ ba. Từ 0-25 V, những giọt hiện tại từ 10-5A 10 27 A tại một sự thiên vị turn-off 22,4 V. Thiết bị này là ổn định trong trạng thái OFF cho đến khi một sự thiên vị về phía trước lớn hơn 3 V được áp dụng, mà chuyển sang màu trạng thái ON một lần nữa. Chuyển mạch dẫn điện không được quan sát thấy trong các thiết bị kiểm soát bằng cách sử dụng chỉ TMV hoặc chỉ PVA, chế tạo với cùng nồng độ và độ dày. Các chức năng của PVA là cung cấp một ma trận polymer cho TMV-Pt và để ngăn chặn tình trạng thiếu điện. Thiết bị có chứa chỉ Pt NP cũng đã được chế tạo để kiểm tra hành vi bistability. Các Pt NP đã được tổng hợp bằng phương pháp tương tự như được sử dụng cho TMV-Pt, và đã bị phân tán trong ma trận PVA với nồng độ tương tự. Những hình ảnh cấu trúc nano của NP Pt cho thấy kích thước hạt từ 6 đến 18 nm (xem thông tin bổ sung). I-V đặc trưng cho thấy một độ dẫn cao mà không có tác dụng chuyển đổi, mặc dù một hành vi hysterisis nhẹ được quan sát thấy. Thiết bị này cho thấy không có khả năng xóa được, đó là cần thiết cho những kỷ niệm kỹ thuật số, và độ dẫn cao không thể trở về trạng thái dẫn điện thấp. Vì vậy, rõ ràng rằng sinh học vô cơ hybrid TMV-Pt cấu trúc nano được yêu cầu cung cấp rewritable chính hãng