During the implant process, atoms c

During the implant process, atoms can scatter laterally from the edge of the photoresist mask and become embedded in the silicon surface in the vicinity of the well edge.

Kết quả (Việt) 1:

Trong quá trình cấy ghép, nguyên tử có thể phân tán theo chiều ngang từ mép mặt nạ hoà và trở nên nhúng trong bề mặt silicon trong vùng lân cận cạnh tốt.

Kết quả (Việt) 2:

Trong quá trình cấy ghép, các nguyên tử có thể phân tán sang hai bên mép của mặt nạ cản quang và trở nên gắn vào bề mặt silicon trong vùng lân cận của cạnh tốt.