Chuyển mạch cứng và mềm của điện Semiconductors Bài học này cung cấp cho người đọc những điều sau đây: (i) Để làm nổi bật các vấn đề liên quan đến ứng suất thiết bị theo chuyển mạch cứng; (ii) Đề xuất biện pháp giảm căng thẳng như vậy với mạch điện bên ngoài; (iii) Kiến nghị chuyển đổi thay thế phương pháp giảm stress; (iv) Cho phép lựa chọn các chiến lược chuyển đổi thích hợp mềm và cứng chuyển mạch bán dẫn được sử dụng trong tĩnh điện Bộ chuyển đổi hoạt động trong chế độ chuyển đổi để tối đa hóa hiệu quả. Tần số chuyển mạch thay đổi từ 50 Hz trong một AC-DC pha góc điều khiển SCR dựa vào hơn 1,0 MHz trong một MOSFET dựa cung cấp điện. Việc chuyển đổi hoặc hành vi động của các thiết bị điện bán dẫn do đó thu hút sự chú ý đặc biệt đối với những người nhanh hơn cho một số lý do:. Tối ưu, tản quyền lực, các vấn đề EMI / RFI và chuyển cấp cứu-mạng Với SCRs '' buộc ân giảm 'và' tự nhiên (line) ân giảm 'thường mô tả các kiểu chuyển đổi. Cả hai đề cập đến cơ chế turn-off của SCR, sự năng động turn-on là không quan đối với hầu hết các mục đích. Một snubber quy nạp bảo vệ để hạn chế turn-on di / dt thường được sử dụng. Đối với các SCRs 'dữ liệu turn-off giúp kích thước của các thành phần chuyển mạch hoặc để thiết lập' lề góc '. Các khoản lỗ dẫn cho các phần quan trọng nhất của tổng số thiệt hại. Ngày hiện chuyển đổi nhanh chóng hoạt động ở tần chuyển mạch cao hơn nhiều chủ yếu để giảm trọng lượng và kích thước của các thành phần bộ lọc. Như một hệ quả, tổn thất chuyển đổi doanh nghiệp có xu hướng chiếm ưu thế, gây ra nhiệt độ đường giao nhau để tăng. Kỹ thuật đặc biệt được sử dụng để có được sạch sẽ turn-on và turn-off của các thiết bị. Điều này, cùng với các chiến lược điều khiển tối ưu và cải thiện di tản nhiệt tạo ra, sử dụng giấy phép của thiết bị với tối thiểu là giãm nhẹ thuế. Chương này đầu tiên xem xét các quá trình chuyển đổi, ước tính các thiết bị tản và chỉ ra các thủ tục thiết kế cho các hệ thống làm mát. Tổn thất về điện Semiconductors A chuyển đổi bao gồm một vài kiểm soát và một vài thiết bị không kiểm soát được (điốt). Trong khi các thiết bị đầu tiên được điều khiển để bật-tắt độc lập, các thiết bị không kiểm soát được hoạt động chủ yếu như là một nô lệ cho các cựu. Tổn thất điện năng trong bộ chuyển đổi là tổng hợp của những tổn thất này. Đôi khi các diode và các thiết bị điều khiển được đặt trong cùng một module. Các khoản lỗ tương ứng với từng đóng góp vào sự gia tăng nhiệt độ của mô-đun tích hợp. Conduction Trận thua lỗ Conduction được gây ra bởi sự sụt giảm điện áp về phía trước khi các chất bán dẫn điện được bật lên và có thể được mô tả bởi (với tham chiếu đến một IGBT), nơi tôi c là hiện tại thực hiện bởi các thiết bị và V ce (ngồi) (I c) là phụ thuộc về phía trước điện áp thả hiện tại. Sụt giảm này có thể được diễn tả như mối quan hệ này xác định thả về phía trước của một IGBT trong một cách tương tự như một diode. Một phần của sự sụt giảm là không đổi trong khi một phần khác là nhà sưu tập hiện nay phụ thuộc. Các thông số trên nên được sử dụng như sau: Sử dụng các giá trị số là cách đơn giản nhất để xác định thiệt hại dẫn. Các giá trị số có thể được áp dụng nếu hiện tại trong thiết bị là tương đương hoặc gần với hiện tại quy định - bảng dữ liệu giá trị số được quy định cho các dòng ứng dụng điển hình.
đang được dịch, vui lòng đợi..