As it is seen from the relevant res

As it is seen from the relevant results: (i) For a given In composition, the drain current increases with the gate bias voltage, (ii) It, however, shows an increasing tendency as In mole fraction decreases. This implies that the use of a lower In content is recommended to give rise an improved electron current in AlInN/AlN/GaN related HEMTs.

Kết quả (Việt) 1:

Khi nó được nhìn thấy từ các kết quả phù hợp: (i) cho một thành phần được đưa ra trong, tăng cống hiện tại với điện áp thiên vị gate, (ii) nó, Tuy nhiên, cho thấy một xu hướng ngày càng tăng như nốt ruồi phần giảm. Điều này ngụ ý rằng việc sử dụng thấp hơn trong nội dung được đề xuất để cung cấp cho sự nổi lên một điện tử được cải thiện hiện tại ở AlN-AlInN-GaN liên quan đến HEMTs.

Kết quả (Việt) 2:

Khi nó được nhìn thấy từ các kết quả có liên quan: (i) Đối với một định Trong thành phần, cống tăng hiện tại với điện áp cổng thiên vị, (ii), tuy nhiên, cho thấy một xu hướng ngày càng tăng như Trong phần nốt ruồi giảm. Điều này ngụ ý rằng việc sử dụng một thấp Trong nội dung được đề nghị cho tăng một cải tiến hiện tại của điện tử trong AlInN / AlN / GaN HEMTs liên quan.